4月8日讯，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。

据悉，SSD PE8000 系列包括 PE8010、PE8030、PE8111 三款型号，这也是其首款 PCIe 4.0 SSD，无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的，甚至是超一流的。

图源：SK 海力士官网

PE8010 及 PE8030 是公司首款支持 PCIe Gen4 接口的 NVMe（Non-Volatile Memory express, 非易失性内存主机控制器接口规范）SSD。 两款产品均采用了公司的 96 层 TLC（Triple-Level Cell）4D NAND 闪存和自研控制器，提供的最大容量高达 8TB，且同时支持 U.2/U.3 规格。PE8010 是专门针对读取工作负载而设计的读密集型产品，而 PE8030 则是为混合使用而优化的一款混合型产品。

上述两款产品在低功耗 PCIe Gen4 SSD 市场上以卓越的性能著称。 PE8010 和 PE8030 均可提供高达 6,500MB / s 的顺序读取速度和高达 3,700MB / s 的顺序写入速度，并且每秒的随机读取和写入速度（Input/output per second，IOPs）分别为 1,100K 和 320K 与公司于 2019 年推出的解决方案相比，PE8010 的顺序读取性能及随机写入性能分别提高了 103%和 357%，功耗同时被控制在最高 17W 以内。这两款产品将本月开始向客户提供样品。

另外，PE8111 企业级 SSD 是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案，该产品采用了 SK 海力士尖端技术的精髓 -- 世界首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存。目前公司正在开发支持 EDSFF（Enterprise & Data Center SSD Form Factor） 1U Long（E1.L）新规格的 16TB 容量 PE8111 产品，并计划在未来开发 32TB 容量版本的 PE8111.SK 海力士计划从今年下半年开始对 16TB PE8111 企业级 SSD 进行送样（Sampling）。

PE8111 是针对 Open Compute Project（OCP）存储平台进行过优化的产品。该产品的顺序读取、写入速度最高分别可达 3,400MB/s、3,000MB/s，而随机写入、读取速度则最高分别可达 700K、100K IOPs. 值得关注的是， 该解决方案使用 128 层 1Tb TLC NAND，与基于 512Gb NAND 闪存的解决方案相比，能够在一半面积的 NAND Die 上实现同样容量。因此，该解决方案具有卓越的性能、功耗， 性价比等方面均能够占据企业级 SSD 市场的主导地位。

PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4D TLC NAND闪存颗粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向读取密集型应用，PE8030则为读写混合应用而优化。

性能方面，持续读写速度最高均可达8.3GB/s、3.7GB/s，随机读写速度最高则可达1100K IOPS、320K IOPS。

相比于去年的上代产品，持续读取性能提升103％，随机写入性能提升357％，另外最大功耗为17W。

PE8111则是针对读取密集型负载的超大容量版本，应用了世界第一的128层堆叠4D TLC NAND闪存颗粒，单颗容量1Tb(128GB)，相比于上一代的512Gb颗粒只需一半数量的闪存芯片就可以达成同等容量，同样数量闪存芯片则容量轻松翻番。

PE8111现有最大容量为16TB，E1.L接口形态，同时正在开发32TB版本。

它特别针对OCP(开放计算项目)存储平台而优化，持续读写速度最高3.4GB/s、3.0GB/s，随机读写速度最高700K IOPS、100K IOPS。

SK海力士表示，PE8010、PE8030 SSD已经向客户出样，PE8111下半年出样。

而随着 3D NAND 技术的快速发展，三星、铠侠、西部数据、美光、SK 海力士等均已研发出 100 层+3D NAND 技术。

以下是各家原厂进展：

SK 海力士最早在 2019 年 6 月公开发布 128 层 4D TLC NAND，相较于 96 层的生产效率提高 40%。之后不到半年的时间，SK 海力士在 2019 年 11 月份向主要客户交付基于 128 层 1Tb 4D NAND 的工程样品，包括 1TB UFS 3.1、2TB 客户端 cSSD、16TB 企业级 eSSD，2020 下半年都将大规模量产出货。

三星也是在 2019 年 6 月就推出了第六代 V-NAND（128 层 256Gb 3D TLC NAND），8 月份宣布基于该技术已批量生产 250GB SATA SSD，同年 11 月实现了第六代 128 层 512Gb TLC 3D NAND 的量产。三星新建的平泽工厂即将投产，按照投产进度，将有望在 2020 下半年实现投产，量产最先进的 128 层 3D NAND。

铠侠在 2020 年 1 月宣布和合作伙伴 Western Digital（西部数据）携手研发出 3D BiCS FLASH 第 5 代产品，采用 112 层 3D NAND 技术，试产的是 512Gb（64GB），采用 TLC 技术，于 2020 年第一季出样，还计划推出 112 层 1Tb（128GB）TLC 以及 1.33Tb QLC 产品，利用双方共同营运的四日市工厂以及北上新建工厂进行生产。

美光于 2019 年 10 月初第一批第四代 3D NAND 芯片流片出样，在美光 2020 财年 Q2 财报中进一步透露，已在第一季度开始批量生产第四代 128 层 3D NAND，将在第三季度开始出货， 预计 2021 年 3D NAND 将全面进入 100 层+的时代。