今天给大家总结一下我们常见的     存储器   的一些区别；这些常见的存储器在平时的学习和工作当中是经常都会接触的，如果我们对它们有一个非常熟悉的了解，对我们理解一些东西还是非常有帮助的。

一、从存储器的层次展开讲：

如下图图1所示，是在看深入理解     计算机   操作系统书里面讲解到的存储器层次结构图：

图1

当然这里涉及到的存储器类型没有那么多，我们今天主要来分享：     RAM       ROM   flashNO     Rf   lashNandflashsramsdramddr等常见存储器，下面我们就来开始正式来分享了：

1、ram和rom：

ram（randomaccessmemory）：它是一种随机存储器。存储单元的内容可以按需要来随意取出或者存入，而且存取的速度与存储单元的位置无关；同时它也有缺点，就是在断电的时候，它里面保存的内容全部会被丢失；它主要的作用就是存储代码和数据供     CPU   在需要的时候调用；按照存储信息的不同，我们又可以把它分为两种类型的存储器（下面会专门介绍这两种存储器，这里先不介绍）：

静态随机存储器（sta  TI cram，简称sram）

动态随机存储器（dyna     mi   cram，简称     dram   ）

rom（read-onlymemory）：它是一种只读存储器，也就是说它只能读出事先规定的存储数据，一旦存储进去后，就不能对里面的数据进行修改了，而且它不会因为断电了而丢失数据。

2、sram和sdram：

sram：它是一种静态随机存储器（sta  TI cram，简称sram），一般的话，这种存储器不需要刷新     电路   就能保存它内部存储的数据。它的特点是：读写速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲，三级缓冲（在我们上面的存储器的层次结构可以看到。）。

dram：它是一种动态随机存储器（dynamicram，简称dram），但是它与静态随机存储器就不同了，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。它的特点是：保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的（内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作）。

3、flash:flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（N     VR   AM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在以往，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，它用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。而flash又被分为两种类型：

NORFlash

NADNFlash

这两种flash应该是我们平时见的最多的存储器了，下面我们来着重来看一下他们的区别：

（1）性能比较：

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

由此可见：

NOR的读速度比NAND稍快一些。

但是NAND的写入速度比NOR快很多。

NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

大多数写入操作需要先进行擦除操作。

NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

（2）     接口   差别：

NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

（3）成本上：

NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah以外，还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码。

一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（DiskOnChip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。

（4）易于使用：

可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于nandflash需要I/O接口，所以要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

（5）寻址：

NAND每次读取数据时都是指定块地址、页地址、列地址，列地址就是读的页内起始地址，每次都是先将数据读入页缓冲区内，再由I/O输入地址在缓冲区内寻址，其实这里列地址，只是指定起始地址的作用。NAND是以页为基本单位操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲，数据首先写入这里，再写命令后，再统一写入页内。因此NAND页缓冲区的作用就是，保证芯片的按页的读、写操作，是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁，因为数据是从I/O输入的，又是每次一个字节，因此需要缓冲。即使每次改写一个字节，都要重写整个页，因为它只支持页写，而且如果页内有未擦除的部分，则无法编程，在写入前必须保证页是空的。

NOR的读、写是字节为基本单位操作的，但擦除是以扇区操作的。综上所述在芯片操作上，NAND要比NOR快很多，因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。

（6）应用：

NAND正是基于这种构造：块、页，无法字节寻址，页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换，因此也没有很多地址引脚，所以其地址、数据线共用，所以容量可以做的很大。NOR是和SRAM一样的可随机存储的，也不需要驱动，因此，其地址就有限，所以容量普遍较小，其实是受限于地址线。基于以上几点，

在工业领域，NOR用的较多，特别是程序存储，少量数据存储等。

在消费领域，大量数据存储，NAND较多。
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