8月7日消息，8月7-9日，2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)在美国加利福尼亚州举行。诺存微电子携三维高密度NOR闪存原型芯片， 以及国内首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速NOR闪存ExpresNOR™系列产品，亮相峰会，此次峰会吸引了超过6500名与会者和120家参展商。

诺存微电子创始人彭海兵本科毕业于清华大学，并取得哈佛大学博士学位，据其介绍，传统NOR闪存的二维设计已经接近物理上的极限，产品可靠性降低、成本攀升，三维化是技术变革趋势；诺存微电子研发的世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片兼具传统NOR和NAND两者的优势，使NOR闪存SLC单元大小降至仅4F2，大幅降低NOR制造成本， 使价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的随机访问功能，低成本高性能，适用于代码运行和数据存储，可竞争传统NOR和NAND两者约540亿美金的市场。

成立于2015年的诺存微电子，是由启迪科服、中金前海、中科创星等旗下基金投资的知识密集型的高科技公司，专注于研发与生产先进的3D结构NOR闪存产品。作为XccelaTM联盟的早期成员，诺存成为在中国大陆第一个推出具有DTR倍速功能的高速Octa-SPI及Quad-SPI NOR闪存产品的企业。目前，诺存的高性能产品 ExpresNOR™系列，具备三大优势：一是速度快，16倍于传统SPI NOR；二是引脚少，采用SOP8、SOP16 或 WSON封装；三是与传统SPI完全兼容。ExpresNOR™产品系列可实现最快的代码执行，同时也简化系统设计、降低系统成本和功耗，可广泛应用于安防系统、路由器、网关、物联网、手机、消费电子、电脑BIOS、电信设备、汽车电子、工业控制设备，及其他智能电子设备。超高性价比，决定了ExpresNOR™产品系列成为物联网、工业、汽车、消费电子等应用的最佳选择。

人工智能、5G、物联网和大数据的快速发展，带来数据爆炸式增长和对存储芯片前所未有的需求。发展数字经济，数据是基础，存储是基石。存储介质和架构将迎来更快速的更迭变化。据2018年中国闪存市场峰会公布数据，全球半导体存储市场规模达到1500亿美金，其中NAND 闪存市场将超过570亿美金，中国消耗了全球产能的32%，已成为全球存储产业的支柱市场。

然而，三星、东芝、美光、SK海力士四大巨头几乎垄断全球NAND 闪存市场，赛普拉斯、旺宏、美光、华邦、兆易创新五大厂商几近瓜分NOR闪存近43亿美金市场份额。初出茅庐的诺存微电子机遇与挑战并存。

创始人彭海兵表示，面临当前格局，诺存微电子将采取务实的“分步走”市场策略，以技术创新冲击市场，不断壮大。短期产品注重高性价比，可竞争美光旺宏等高端产品；同时也考虑pin-to-pin兼容性，替代其他市场上流行款式。2018年底首批推出的几款含DTR倍速功能的Octa-/Quad-SPI 高速NOR闪存产品，填补国内空白，具备高速读取、高可靠性和低成本特点，已经分批送样试用成功，目前在扩大销售阶段，打响品牌。中长期则主推全新的高密度存储阵列，以独特的专利技术冲击市场，引领技术创新，聚焦世界首款三维NOR闪存领域。

除彭海兵外，诺存微电子核心团队由海归博士、国际知名技术专家和高级管理人才组成，包括Intel前副总裁、长江学者等国际顶尖人才，主导公司的管理、产品研发生产和市场销售工作。国际化的创始团队，加上产品技术和市场渠道的丰厚积累，诺存微电子正欲抓住中国集成电路产业发展的历史机遇，迎接挑战，迎头赶上。

彭海兵说，“我们期待在全球NOR闪存市场份额饼状图上，未来几年出现诺存的名字！”坚守“脚踏实地，志存高远” 的企业信仰，以创立国产品牌、研发具有自主知识产权的新一代闪存芯片为己任，立足本土、放眼国际，诺存微电子正不断提升NOR闪存性能，以独特的专利技术冲击市场，引领技术创新，为打造世界级的芯片企业而不断努力。