6月28日消息，作为先进半导体器件的晶圆清洗技术领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备（NASDAQ:ACMR）近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备，这是Ultra C清洗系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗，以实现缩短存储产品的生产周期。这款新产品以盛美成熟的多腔体技术为基础，进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体，对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增加了50%，而其设备宽度不变只是在长度有少量增加。

“存储产品的复杂度不断提高，但仍然对产量有严格的要求。”盛美董事长王晖博士表示：“当清洗工艺的时间逐渐加长或开始采用更复杂的干燥技术时，增加清洗腔体能有效解决产能问题，让先进存储装置制造商保持甚至缩短产品的生产周期。我们的18腔清洗设备将是解决这类问题的利器。Ultra C VI平衡了腔体数量配置，在实现高产能（wafer-per-hour）的同时，兼顾了与工厂自动化能力的匹配，同时也能避免因腔体数量过多而面临的设备宕机压力。”

Ultra C VI

Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆清洗。该设备可根据应用和涉及的化学方法运用于各种前道和后道工艺，如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的清洗、沉积前清洗、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗。

清洗过程中可使用多种化学组合，包括标准清洗（SC1，SC2）、氢氟酸（HF）、臭氧去离子水（DI-O3）、稀硫酸双氧水混合液（DSP，DSP +）、有机溶剂或其他工艺化学品等。最多可对其中两种化学品进行回收，节约成本。该设备还可以采用可选的物理辅助清洗方法，例如二流体氮气雾化水清洗或者盛美专有的空间交变相位移（SAPS）和时序能激气穴震荡（TEBO）兆声清洗技术。可选配异丙醇（IPA）干燥功能，应用于具有高深宽比的图形片。此外，由于该设备与盛美现有设备的宽度一致，因此有助于提高晶圆厂的空间利用率，并进一步降低成本。

盛美计划在2020年第三季度初期交付Ultra C VI给一家领先的存储制造厂进行评估和验证。

欢迎莅临盛美位于SEMICON China 展位号E5223的展台，咨询盛美的整体清洗解决方案，包括最新的Ultra C VI系统。该展会将于2020年6月27日至29日在上海新国际博览中心举办。

    关于盛美半导体  

盛美半导体设备公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单片晶圆或槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和热处理设备的研发、生产和销售。并致力于向半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，来提升他们多个步骤的生产效率和产品良率。