版图将会对模拟电路性能产生巨大的影响，针对matching要求很低，nmos的body-effect不可小视，current matching即使差到20%~40%，matching最后造成了接近50%的偏差，也就是差不多到了1:600。

当电流的matching不那么重要的时候，为了节省电流和面积，可以使用作者君采用的暴力巨大的ra  TI o值。

然后还学了一招，针对matching要求很低的情况，为了节省面积：

可以采用上图所示的方法。当然了，左边上面那个nmos的body-effect不可小视，大家根据自己的实际情况掂量着用吧！

本人的design存在严重缺陷，因而才导致了下面将会谈到的这个问题，正常情况下的current ra  TI o，大概会尽量保持在十以内。如果出现这样的情况：

基于一般的经典common-centriod的layout结构：

而不是下面作者所采取的做法。

作者当时并不很担心自己的current matching，因为觉得即使差到20%~40%（1:400变成了1:240到1:560），都是可以忍受的。结果后仿的结果显示，matching最后造成了接近50%的偏差，也就是差不多到了1:600.

下面是一个comparator的pre-amplifier。

因为作者以前都是做low power的电路，很少遇到需要烧电烧到几百uA的情况。

所以上面那个200uA的pre-amplifier，让作者郁闷了一下下。

M59和M63的W/L ra  TI o是1:400。

一开始做layout的时候，我们layouter问我，这个M59摆在哪里？

我当时没有过脑子的就脱口而出：“随便摆！”

话确实说得气壮山河，可结果却是有些难过……

之后我拿着coupleC和decoupledC去跑后仿。之前跳得好好的，Von和Vop的DC op应该是500mV。结果我跑了个DC，发现变成了200多mV……结果可想而知，下半部分全部出了satura  TI on region……

我开始以为是提取寄生参数的时候出了问题，所以就跑过去找layouter。layouter说不可能啊！最后没有办法，我就去对比前仿和后仿的netlist。

然后下面是后仿netlist里M59和M63的BSIM参数。

大家可以看出来，比如这个叫“AS”的参数，差别已经快一倍了。

后来我仔细琢磨了下，会不会是layout的问题呢？

然后我就去找layouter看这两个管子到底怎么摆的。

因为我当时随口说M59这个diode随便放，所以layouter就把M59跟M63没有放在一起。所以这个所谓的current mirror就完全没有了matching可言。

有些layout影响，如STI，WPE（Well Proximity Effect：During ion implantation， kinetic ions scatter back out of PR and become embedded in the Si near PR edge， causing VTH shift. 。The affected distance is ~ 1um. • Small angle II helps， but never avoids WPE.）之类的，就纷纷冒出来了。

发现了这个问题之后，我就让layouter把M59插到M63里面。M63不是有400 （multiplier=400）个吗？我就把M63的m改成了399，其中中间一个留给了M59（下面的netlist里面M59变成了M159）