3月11日，根据美光官方消息，美光（Micron）今日宣布业界首款搭载 LPDDR5 DRAM 的通用闪存（UFS）多芯片封装（uMCP）正式送样。该uMCP 可提供高容量和低功耗的存储空间，专为轻薄小巧的中端智能手机设计，可提升5G智能手机性能和电池续航力。

美光的新款 uMCP5 封装采用了公司在多芯片封装方面的创新和前沿技术，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板载控制器，其与双芯片解决方案相比，占用空间减少 40%。这种优化的架构可降低功耗，缩小内存芯片尺寸，支持更小、更灵活的智能手机设计。

美光高级副总裁兼总经理 Raj Talluri 博士表示，“此款业界首创的封装解决方案搭载最新的 LPDRAM 和 UFS 接口，在降低功耗的同时，可将内存和储存带宽提高 50％。”

据悉，美光 uMCP5 采用先进的 1y nm DRAM制程技术以及世界上最小的 512Gb 96层3D NAND 芯片。该新型封装解决方案采用297球栅阵列（BGA）支持双信道 LPDDR5，速度高达 6.4Gbps，较上一代接口性能提高了50％。

美光强调，uMCP 是LPDDR5 DRAM 的理想解决方案。5G网络将自2020年起在全球大规模部署，美光下一代 LPDDR5 内存将可满足 5G 网络对更高的内存性能和更低能耗需求。

美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理 Raj Talluri 博士表示：“这款业内首创的 uMCP5 封装解决方案衔接了新款 LPDRAM 和 UFS，使内存和存储带宽提高 50%，同时带来更低功耗。该款产品使中端 5G 智能手机能够在超低延迟响应时间和低功耗模式下运行，从而可以支持旗舰智能手机所具备的各种功能，如搭载多枚高分辨率摄像头、多人游戏和 AR / VR 应用。”

美光 uMCP5 采用先进的 1y 纳米 DRAM 制程技术和全球最小尺寸的 512Gb 96层 3D NAND 裸片。297 引脚球栅阵列 (BGA) 封装支持双通道 LPDDR5，速度高达 6,400Mbps，性能比上一代接口提升了 50%。这款新型封装还为当今市场上的 uMCP5 提供了最高的存储和内存密度，分别为 256GB 和 12GB。

uMCP5 为美光 LPDDR5 DRAM 提供了理想的解决方案。5G 网络将于 2020 年开始在全球进行大规模部署，而美光下一代 LPDDR5 内存可满足其对更高内存性能和更低能耗的需求，同时让 5G 智能手机能以高达 6.4Gbps 的速度处理数据，在解决数据处理瓶颈问题方面会起到至关重要的作用。

与此同时美光表示，搭载 LPDDR5 的uMCP5自今年第1季起开始对部分合作伙伴送样。

美光uMCP5已双通道排列方式将12GB LPDDR5内存、256GB UFS闪存以及主控打包在一起进行封装，LPDDR5内存采用了其第二代10nm工艺技术制造，闪存方面则是没有公布更多信息。

美光将内存和闪存打包封装之后，一个很直接的效果就是减少了相关元器件的空间占用。据美光公司透露的数据，uMCP5的空间比独立的LPDDR5内存以及UFS闪存的占用空间少了40%。此外，美光还表示，相较于上一代解决方案，uMCP5的存储以及存储带宽也都增加了50%。

在5G网络的逐步普及、手机硬件堆料越来越疯狂的情况下，如何减少元器件的内部占用空间则是成为行业需要思考的一个问题。美光通过把内存和闪存芯片打包的方式来释放这些元器件所需要的空间，面向中端5G机型。而高端机型，则是可以以PoP的方式把SoC以及RAM封装在一起。

除了压缩空间之外，美光uMCP产品的出现也将满足手机对于LPDDR5内存以及更高规格闪存的需求，特别是在5G手机逐渐普及以及相机硬件变得更为强大的情况下。