据9月20日消息，日本存储器大场东芝存储器(Toshiba Memory Corporation)与西数(Western Digital)于19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂(Fab 6)举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心(Memory R&D Center)。西数的执行长Steve Milligan也同时指出，很荣幸能与西数的重要合作伙伴──东芝存储器一起为6号晶圆厂和存储器研发中心揭开序幕。

东芝存储器进一步指出，将与西数持续推动并扩展双方在存储器事业的市场领导地位，积极开发各项计划以强化竞争力，推动3D NAND Flash的共同开发，并根据市场趋势规划资本的投入。对此，东芝存储器社长暨执行长成毛康雄(Yasuo Naruke)表示，东芝存储器很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash开拓更广阔的市场。而6号晶圆厂和存储器研发中心能让东芝存储器在3D NAND Flash市场中维持领先地位，而且相信与西数的合资事业，将能协助四日市的工厂继续生产市场上最先进的存储器。

东芝存储器是自2017年2月开始兴建6号晶圆厂，为生产3D NAND Flash快闪存储器的专用生产厂区。东芝存储器与西数已针对沉积(deposition)与蚀刻(etching)等关键生产制程开始部署先进制造设备，新厂已经在9月初开始量产新一代96层3D NAND Flash。

有监于3D NAND Flash在企业服务器、资料中心及智能手机的需求不断成长，未来几年这些需求将持续扩大的情况下，为因应此市场趋势，未来可望进一步投资扩大产能。而且，与6号晶圆厂相毗邻的存储器研发中心，也已经于2018年3月开始营运，负责研发及推动3D NAND Flash的发展工作。

近20年来，两家公司合作无间，带动了NAND Flash技术的成长和创新。此外，目前也正积极提升96层3D NAND Flash的产能，以因应从消费性、移动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机，且6号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升东芝存储与西数在业界技术领先和成本领导的地位。

除刚刚宣布投产的Fab 6之外，东芝存储器公司正在日本东北部的岩手县北上市建造K1晶圆厂，该工厂预计将于明年秋季竣工，在完成设备安装调试后在2020年投产。届时K1将成为全球最先进的3D闪存制造工厂之一。由东芝研发的3D闪存名为BiCS Flash，在96层堆叠与QLC技术下，单个闪存颗粒最高可实现1.33TB容量，从而使固态硬盘的容量有机会全面超越机械硬盘。企业服务器、数据中心和智能手机、电脑固态硬盘都将从中受益。除三星、东芝、美光、SK Hynix这些世界主要闪存制造商之外，大陆长江存储以及台湾宏旺电子也都在3D闪存上持续投资，固态硬盘的好日子来了。