2019年由于PC、伺服器与智能手机等终端产品需求疲软，因此DRAM主要供应商纷纷放缓新增产能的脚步，以期减缓价格跌势。

DRAMeXchange指出，与实际位元生产量最相关的指标为各供应商的资本支出计画，而2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元，年减约10%，为近年来最保守的投资水位。

其中，两家韩系厂商最先宣布将放缓2019年投资计画。市占最大的三星半导体2019年DRAM投资总金额约在80亿美元，主要用在先进制程(1Ynm)的持续转进以及新产品的开发。投片计画是三星近年来最保守的一次，目前决议终止平泽厂(Line18)扩产计画，将使2019年位元成长达到历年新低，约在20%水位。

市占第二名的SK海力士2019年DRAM投资金额也降低到约55亿美元，主要用以持续转进新制程与提升良率为主。但由于中国无锡新厂才刚落成，因此该厂全年仍有约30~40K产能提升，根据DRAMeXchange计算，SK海力士2019年位元成长约21%，稍微高过三星。

而市占第三的美光半导体，近日才宣布下修2019年资本支出至约30亿美元，并且将2019年的生产位元成长目标由原先的近20%下修至15%水位，以期改善库存持续升高的状况。

至于需求端，2019年第一季受到连假以及淡季效应的影响，将会是最为疲弱的季度，而且目前也没有迹象显示第二季之后需求会有所改善。在中美贸易战持续延烧的大前提下，市场仍充满不确定性，基于上述供需预测，DRAM价格仍将逐季修正，2019年第一季价格下修幅度约为15%，第二季预期将收敛至10%以内，而下半年除非需求明显改善，否则价格仍将维持约5%的季度下修。

DRAM新需求靠AI、5G带动

DRAM市场再度陷入景气向下循环周期，业者认为，此波景气调整后，下一波带起市场需求的，将是人工智能（AI）与第五代行动通讯（5G）两大应用。

受市场需求不振、价格走弱影响，全球DRAM指标厂股价同步回档修正，美国记忆体芯片大厂美光上周五（14日）重挫逾2.3%，收34.2美元，直逼一年来最低价34.06元；台湾最大DRAM南亚科上周五跌0.8元、收53.5元，本月以来跌逾一成。

业者认为，DRAM是科技产品重要元件，如今价格反转下跌，更凸显PC和智能手机市况不佳。不过记忆体业者仍乐观看待5G和AI来临，将开启DRAM，甚至储存型快闪记忆体（NANDFlash）强劲需求。

力晶集团执行黄崇仁直言，近期DRAM市场遭遇乱流，但也让原本大举进军DRAM生产的中国大陆厂商开始思索是否要投入大量资源，尤其美国司法部介入美光控告晋华和联电案，更让大陆厂商多所顾忌，可能因此放缓扩产脚步，有助减少供给。

投行看DRAM：价格将在2019年上旬进行「小幅修正」芯片股大多分析师看好记忆体芯片的表现，南亚科总经理李培瑛之前指出，DRAM产业的中长期大环境看法乐观；但投行海纳集团(SusquehannaFinancialGroup)却对DRAM整体产业提出不同观点，该行认为，在ServerDRAM需求连续两年稳定成长后，估计2019上半年可能会暂缓，进而影响DRAM价格。

《巴伦周刊》报导，海纳集团分析师MehdiHosseini表示，在分析最新DRAM位元出货量数据后，他将修改之前对DRAM乐观的看法，Hosseini认为，由于DRAM供应持续攀升，2019上半年DRAM价格可能会出现「小幅修正」。

Hosseini指出：「在ServerDRAM需求连续两年稳定成长后，市场可能会出现一些消化期，因此我们下调DRAM的需求。」Hosseini估计，2018年的DRAM的供应量将增加20%至22%，但DRAM的位元需求量增长将跟不上供应增长，尤其以2019年上半年来看，他认为在2019年下旬至2020年之间，供需会变得较平衡。