12月24日，旺宏电子董事会决议通过明年新增资本支出新台币8.65亿元，并继续与 IBM 合作开发相变化存储器，双方将共同分担研发费用，预计对长期技术竞争力将产生正面影响。合约计划期间为2019年1月22日至 2022年1月21日。

尽管存储器行情明年不被看好，但旺宏对于未来展望仍审慎乐观，预期高端快闪型存储器如 NOR Flash等市场仍会持续成长，产品价格应还算稳定。

董事长吴敏求于此前法说会时曾强调，将把制程从 36 纳米升级至 19 纳米，以强化 NAND Flash 的竞争力。且自 2001 年开始，旺宏就已成立前瞻技术实验室，并且投入相变化存储器的研发，2004 年与 IBM 签署“合作研发相变化非挥发性存储器”联盟协定，如今过了十几年，仍然没有放弃。

相变化存储器（Phase-change memory，PCM）是一种非挥发性存储器装置，其特色是使用硫族化物玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫属玻璃的特性是透过改变温度可以成为晶体或非晶体并具有不同的电阻，以此来储存不同的数值，是未来可能取代快闪存储器的技术之一，目前许多国际大厂如英特尔、三星等都有投入研发。

早在 2015 年旺宏就曾与 IBM 共同发表一颗 512Mb 容量的相变存储器样品。PCM 具备包括读写速度快、耐用、写入次数极高 (至少 1000 万次)、微缩性良好等优势，被预期将在存储产业的未来发展中扮演重要角色，包括手机、计算机与人工智能产业等均可因此受益。

虽然 PCM 存储器技术看似即将成熟，但到普及恐怕还需要一点时间，但为了应对新兴科技的发展，高速储存装置仍然是不可或缺的技术，也是市场关注的焦点。旺宏表示，记忆形式的储存级存储器是未来的趋势。除与 IBM 签订合约外，旺宏董事会也通过了2019年新增经常性资本支出预算新台币 8.65 亿元。此外，旺宏董事会于今年10月22日决议通过新增资本支出预算达新台币142.03亿元，预计自2018年第4季起陆续投资，以应对公司12英寸晶圆厂之高端产能提升及研发需求。

旺宏电子为创新非挥发性记忆体解决方案领导厂商。我们是全球最大的唯读记忆体生产制造公司，并提供客户跨越广泛规格及密度的NOR型快闪记忆体产品，以应用於消费、通讯、电脑、汽车电子等相关领域。旺宏电子目前拥有一座十二吋晶圆厂(晶圆五厂)、一座八吋晶圆厂(晶圆二厂)及一座六吋晶圆厂(晶圆一厂)，晶圆五厂及晶圆二厂主要生产制造旺宏自有非挥发性记忆体产品，晶圆一厂则以利基型逻辑产品的晶圆代工业务为主。

此外，为落实专注经营，并达到资产运用最佳化的营运效益，旺宏电子独立逻辑产品部门，於2007年正式成立四家子公司。结合子公司於建构行动通讯平台(Mobile Platform Solutions)的研发技术能力，旺宏进一步扩大了集团整合运作的效果。