1月9日讯，三星发布全新移动固态硬盘T7 Touch。将数据保护提升到全新高度。 该产品拥有时尚、紧凑的外观设计，可提供目前基于USB3.2 Gen 2标准所能达到的高水准数据传输速度。该设备还通过内置指纹传感器进一步改善硬件安全性能。

T7Touch有经典黑和时尚银两种颜色可供选择，并提供500GB、1TB和2TB三种容量型号，适用于多种用途。为了确保用户随时随地都能获得可靠的连接，这款产品同时配备USBType-C-to-C以及USBType-C-to-A两种数据线，并兼容Windows、Mac和Android等操作系统。T7Touch还包含有三年有限保修，制造商建议零售价（MSRP）为：500GB 129.99美元，1TB 229.99美元，2TB 399.99美元。

T7 Touch将于本月起，于全球30多个国家发售。随着T7Touch的上市，移动固态硬盘T7有望在同年第二季度推出。如欲了解更多信息，请登录samsung.com/ssd

在三星此前的移动SSD产品中，有销售已久了的T5，以及面向高端用户的X5，前者因为是多年前推出的了，内部采用的是SATA接口SSD，所以速度上只有500MB/s左右的持续读写，而后者虽然有高达2800MB/s持续读取速度，但采用了雷电3接口，所以除非你是全套雷电3设备，不然即使舍得花钱买，也没处可用，而这次新的T7 Touch则是定位在两者之间的性能。

T7 Touch官方给出的持续传输速度分别在1050MB/s读取、1000MB/s写入，所以很明显新款的内部升级到NVMe规范SSD了，这速度对比T5刚好是约两倍的提升，有懂行的玩家可能会觉得这速度也不咋滴啊，这应该是出于散热，以及接口的考虑吧，T7 Touch采用的是USB 3.2 Gen2（10Gbps）接口，虽说现在也不是所有设备都有这种高速接口，但可以向下兼容USB 3.1、3.0，还是要比雷电3通用性强很多。

至于外观方面，T7 Touch继续采用了铝镁合金外壳，仅重58g，有黑色和银色两种（T5有土豪金、蓝色和红色可选），而名称中这个Touch，不是说移动SSD支持触摸操作，而是指它带有一个指纹识别器（还有环形的指示灯），用于加密SSD，当然如果你不需要指纹加密，三星还有普通版的T7，将在今年Q2上市。

T7 Touch依旧标配USB C-to-C和C-to-A两种数据线，带有三年质保，而销售方面有三种容量版本，500GB版为129.99美元，1TB版为229.99美元，2TB版为399.99美元，将在本月开卖。

此次三星品牌存储发新发布的移动固态硬盘T7 Touch与上代T5相比，升级十分明显，给笔者留下了十分深刻的印象。在这其中最亮眼的莫过于它指纹加密的设计，这对于一款存储设备来说十分有必要；除此之外，USB3.2 Gen2接口可以带来1000MB/s的传输速度来保证极致的性能体验；并且这款T7 Touch在散热方面也经过了全新设计，因此可以让它的性能得到最好发挥。

随着内容创作者时代的不断普及，未来消费者对于移动固态硬盘的要求势必会越来越高，在存储产品日趋雷同的今天，此次T7 Touch又一次充当了行业灯塔的角色，让我们看到了移动固态硬盘的发展方向，产品即将发售，让我们一起期待吧。

1月6日消息，据《韩国经济》杂志报道，三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片，基于全栅极（GAAFET）技术。与三星使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比，3nm芯片的总硅片面积减少35%，功耗降低50%，性能提高30%。

据悉，韩国当地时间1月2日，三星电子事实上的领导者李在镕曾参观了三星的半导体研发中心，并商讨了有关公司利用3nm工艺制造芯片的战略计划，以提供给全球客户。

    三星电子的GAAFET工艺  

早在一年前，三星开始进行3nm GAAFET工艺的研发，最初计划于2021年开始量产。

与此同时，三星还曾表示要在2020年之前采用4nm GAAFET工艺，但业界对三星是否能在2020年之前将该工艺量产表示怀疑。

从事实上看，三星将GAAFET芯片投入生产的时间比业界预期的还要早。但随着三星3nm芯片原型的开发，其量产的时间或许会比市场预期更早。

实际上，GAAFET的工艺设计与FinFET大不相同。

FinFET工艺将闸门设计成了像鱼鳍般的3D结构，把以往水平的芯片内部结构变垂直，把晶体厚度变薄。

这种设计不仅能很好地接通和断开电路两侧的电流，大大降低了芯片漏电率高的问题，还大幅地缩短了晶体管之间的闸长。

而GAAFET的工艺则围绕通道的四个侧面设计，以确保减少功率的泄漏，进一步改善对通道的控制。

此外，GAAFET工艺还能够实现更高效的晶体管设计，拥有更小的整体制程尺寸，大大提升了芯片的每瓦性能。

    台积电仍在5nm领域发力  

三星电子的老对手台积电在3nm工艺领域似乎还较为低调。

台积电曾表示将在2019年年底启动3nm晶圆厂建设，并表示其进展“令人欣慰”，但关于3nm的技术细节却未过多披露。

相反，当下台积电则更多的将心思放在5nm工艺的研发中。从去年年底开始，关于台积电5nm工艺试产良率的消息频频爆出。

就在去年10月，台积电表示，其首批5nm工艺已顺利拿下苹果和华为海思两大客户，将分别打造苹果A14芯片和华为新一代麒麟芯片。

据台积电上个月的最新消息表示，其5nm工艺平均良率已提高至50%，2020年上半年即可实现量产。

而三星电子则表示，其目标要在2030年成为世界第一的半导体制造商。

    结语：芯片先进制程领域战火纷飞  

多年来，台积电和三星的芯片代工之争愈演愈烈，尤其进入到了5nm及以下的先进制程领域，除了良率、性能和客户订单之争外，双方围绕芯片工艺、半导体材料和光刻机等方面的竞争也更加激烈。

但就目前综合看来，三星虽然已公布其3nm工艺的最新进展，但在良率、订单等进程上，依然是台积电更胜一筹。未来，输了7nm的三星是否能在3nm扳回一城？