11月13日消息，英飞凌（Infineon）刚刚宣布，其已收购一家名为 Siltectra 的初创企业，将一项创新技术（Cold Spilt）也收入了囊中。“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于 SiC 晶圆的切割上，从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。据悉，本次收购征得了大股东 MIG Fonds 风投的同意，报价为 1.24 亿欧元（1.39 亿美元 / 9.7 亿 RMB）。

半导体公司Infinion以1.24亿欧元收购位于德累斯顿的创业公司Siltectra。 后者开发了一种称为冷裂的创新工艺，用于芯片加工，以更有效地节省材料和加工晶体。

英飞凌计划采用冷分流技术，这将使该公司“分割碳化硅（SiC）晶圆，从而使一个晶圆的芯片数量翻倍”。 SiC产品用于电动车辆的动力系统以及其他用途。

Infinion已从风险资本投资者MIG Fonds手中接管了Siltectra。 “此次收购将帮助我们利用新材料碳化硅扩展我们优秀的产品组合。 英飞凌首席执行官Reinhard Ploss博士表示，我们对薄晶圆技术的系统理解和独特专有技术将得到冷分裂技术和Siltectra创新能力的完美补充。 Ploss希望该技术将有助于改善其经济和资源使用，特别是当公司计划与不断增长的电动汽车行业一起扩展时。

Siltectra成立于2010年，一直在发展，目前已拥有50多个专利家族的知识产权组合。与普通的锯切技术相比，这家初创公司开发出一种分解结晶材料的技术，其材料损耗最小。该技术也可以应用于半导体材料SiC，预计在未来几年中需求迅速增长。如今，SiC产品已经用于非常高效和紧凑的太阳能逆变器中。未来，SiC将在电动汽车中发挥越来越重要的作用。Cold Split技术将在德累斯顿现有的Siltectra工厂和奥地利菲拉赫的英飞凌工厂实现工业化。预计将在未来五年内完成向批量生产的转移。

冷分裂技术的进一步发展将在德累斯顿的前任和现任Siltectra工厂以及英飞凌位于奥地利Vallach的工厂进行。 英飞凌宣布，他们是目前世界上唯一一家能够在工业规模上生产300毫米硅晶圆半导体的公司。 Infinion声称这项技术现在可以转移到SiC。 计划在未来五年内实现该技术的工业规模使用。

英飞凌提供最广泛的基于硅的功率半导体产品组合以及碳化硅和氮化镓的创新基板。它是全球唯一一家在300毫米硅薄晶圆上批量生产的公司。因此，英飞凌也很有可能将薄晶圆技术应用于SiC产品。Cold Split技术将有助于确保SiC产品的供应，特别是从长远来看。随着时间的推移，可能出现Cold Split技术的进一步应用，例如晶锭分裂或用于除碳化硅之外的材料。

英飞凌 CEO Reinhard Ploss 博士表示：此次收购有助于我们利用 SiC 新材料，并拓展我司优秀的产品组合。我们对薄晶圆技术的系统理解和独特的专业知识，将与 Siltectra 的创新能力和冷切割技术相辅相成。

与普通锯切割技术相比，Siltectra 开发出了一种分解晶体材料的新技术，能够将材料损耗降到技术。该技术同样适用于碳化硅（SiC），并将在其现有的德累斯顿工厂、以及英飞凌（奥地利）菲拉赫工厂实现工业化生产。

作为唯一一家量产 300mm 硅薄晶圆的企业，英飞凌能够很好地将薄晶圆技术应用于 SiC 产品。预计未来五年内，英飞凌可实现向批量生产的转进。随着时间的推移，冷切技术有望得到更广泛的应用，比如晶锭分割、或用于 SiC 之外的材料。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2012财年（截止到2012年9月份），公司实现销售额39亿欧元。