那么，像Spin Memory这样的MRAM公司在DRAM领域能做什么呢?事实证明，开发超高密度、高性能MRAM存储与垂直外延晶体管有很大关系，这在DRAM设计中非常有用。特别是，它们可以消除行锤攻击，这些攻击在较新的DRAM设计中可能是慢性的。

 与静态内存不同，DRAM需要一个刷新周期来维护内存单元的内容。放弃刷新太久，内容变成垃圾。传统的系统通过定期的刷新周期防止发生这种情况，因此内容不会降级到导致错误的程度。

 尽管如此，还是会出现降级问题，甚至邻近的访问也会影响相邻的数据行。  行锤击是一种快速循环附近行的技术(图1)。 对于系统攻击者来说，诀窍是在他们想要破坏的数据附近运行这些事务，导致软件以一种攻击者可以利用的方式失败。解决方案是隔离行，使附近事务的影响最小，允许定期刷新周期来维护数据。

    图1.    数据受传统DRAM中相邻行的影响(左)。自旋存储器的解决方案(右)提供了相邻存储器之间的隔离，消除了行锤攻击的影响。

IRPS 2020技术项目主席Charlie Slayman表示，  Row hammer是影响DRAM可靠性和安全性的主要问题之一，长期以来一直是内存行业的一个令人烦恼的难题。 作为DRAM长期以来的主要干扰问题，排锤只会随着细胞的缩小而变得越来越严重。自旋存储器的通用选择器提供了一种设计垂直电池晶体管的新方法，并已提交给JEDEC任务组评估解决行锤击问题的方案。

已经有一些软件方法可以减轻row锤击的效果，但它倾向于与攻击者玩“打地鼠”的游戏。

    通用选择器  

    图2.    自旋存储器的垂直外延晶体管(左)显示了它的中央部分不同于传统DRAM单元。右边的图显示了与通用选择器解决方案相比，常规DRAM如何在行锤攻击的情况下恶化。

 当然，仅仅减轻对DRAM的攻击是有效果的，但是自旋存储器提供的通用选择器架构还有其他优点，特别是当开发人员继续缩小芯片设计的规模时。该方法总体上提高了DRAM软错误率。4F2 (4F2) DRAM位元配置(图3)也可以提高20%到35%的阵列密度。

    图3.    这是用自旋存储器技术制作的DRAM的艺术家构想。

 该技术适用于新兴的内存技术，包括MRAM、ReRAM和PCRAM。这里，通用选择器允许创建6F2 - 10F2 (6F2 - 10F2)的1T1R内存位单元。这相当于在相同区域增加了5倍的内存，而只需要最小的晶片处理成本。

 Spin Memory首席执行官汤姆·斯帕克曼表示，  当今最创新、最苛刻的技术需要更先进的内存来跟上计算需求。对于运行在边缘的复杂应用程序来说，速度和可靠性是必要的，比如自动驾驶汽车或健康可穿戴设备——在这些地方，准确和实时的决策可能决定生死。除了推动MRAM进入主流市场之外，他们最新的突破性创新还为这些技术带来了令人兴奋的新进展和能力！