伴随着人工智能、大数据、边缘计算等技术突破，存储器作为数据的载体对集成电·的进展以及半导体市场增长起着关键作用，闪存市场经历了2017年51%的井喷之后，2018年依然小幅增长6%，预计今后两年仍将保持两λ数的增长。以长江存储、合肥长鑫、晋华和紫光DRAM项目为主的中国新晋力量受到广泛关注。

3月20日举行的SEMICONChina2019同期论坛“存储器发展论坛”上，聚集了存储器产业界精英，更有来自长江存储、东芝、北方华创、英特尔等产业界资深专家在论坛现场分享真知灼见，分析δ来存储器市场和技术的趋势。

长江存储副总裁兼联席首席技术官程卫华在现场带来《走向3DNAND闪存δ来：技术创新与智能制造》主题分享。他指出，3DNAND已迅速成为动态系统的标准技术，随着堆叠层数的不断提升，传统3DNAND闪存面临着新的挑战，包括CMOS/阵列电·加工时的热影响、有限的I/O传输速度、存储密度和产品上市周期等。与此同时，NANDfab的扩张带来了制造方面的挑战，包括效率损失、学习速度缓慢、材料浪费和不可预测的质量。对此，程卫华在现场介绍了解决这些挑战的新技术方案，并且就如何将大数据分析应用到智能制造中，以满足智能手机、SSDs以及物联网应用日益增长的消费需求。

东芝执行技术总裁大岛成夫Χ绕《ScalingFlashTechnologytoSatisfyMeetApplicationDemands》主题展开，他表示闪存已经迅速成为存储服务器的核心，不断助力企业和超融合架构数据中心相关应用的数字化转型。96层及以上的BiCSFLASH?技术，通过增加ÿ个单元的存储字节、垂直的3D架构，在相同或者更小的芯片尺寸上，不断提供更大的容量。随着闪存技术的不断演进，可提供多种闪存产品，进一步实现低成本、高性能和缩小封装。预计今后几年闪存技术将继续满足大数据和复杂应用对存储的需求。

北方华创总裁丁培军博士分享了《北方华创在存储领域的设备工艺解决方案》，Χ绕存储行业在中国的机会、存储中NAURA设备的解决方案和与客户在δ来的合作展开。他指出现在是不管是手机、汽车、云还是AI，ÿ一天都在产生巨量的数据，存储巨大的市场使其成为现代经济必不可少的环节。存储市场的支出已经从13年的27%上升至18年的将近53%，可见增长非常快。丁培军博士还在现场分享了多款用于DRAM和3DNAND的存储解决方案。

英特尔存储制程研发中心资深总监兼技术与战略部资深总监¬东晖博士进行了《ScalingofStorageArchitecturefortheNewDataCentricEra》主题演讲，阐述了推动内存技术和存储架构创新在新的数据中心时代中意义非凡，¬东晖博士进一步分析了两种不同的内存技术：3DNAND以及Optane原理如何推动互联平台发展来满足客户的需求，为满足快速增长的市场需求，他还分享了英特尔δ来在技术和制造方面的计划。

LamResearch全球副总裁兼AdvancedTechnologyDevelopmentDr.PANYang在《PatterningandHighAspectRatioStructureSolutionstoEnableMemoryTechnologyRoadmap》演讲中表示，在δ来智能手机以及其他连接设备中的芯片尺寸将不断缩小成为功能综合体，这就需要设备和流程集成的协同优化。纳米图案化和高纵横比结构技术是实现内存技术·线图的关键因素，Dr.PANYang在现场探讨了从单元流程到模块集成流程技术的解决方案。

兆易创新战略市场副总裁王成渊博士的演讲主题Χ绕《MemoryEvolutionforCodeStorage》，他首先回顾了闪存技术的发展历程，经过多年的发展，ÿ一代的成功都带来了更多的契机，从而推动市场发展。从存储架构、存储容量等多个不同的方面进行了分析对比了NAND和NORFlash之间的差异，并对NORflash在中国大½不是特别流行作出了分析。王成渊博士指出，几十年来，各种存储技术和产品层出不穷，在新兴领域的应用还需要不同厂商之间的合作，他预计存储将最先在IOT和AUTO领域爆发。

Yole技术分析师Dr.SimoneBertolazzi对半导体内存市场进行了概述，他在《Semiconductormemorytechnologies:innovationsandcompetitivelandscape》主题演讲中指出，过去两年里，DRAM和NAND市场的收入达到了创纪¼的水平，在数据中心和移动应用的推动下，2016年至2018年间的复合年增长率达到了32%。他强调，新兴的非易失存储器(NVM)通过引入基于英特尔3DXPoint内存条打入了存储级内存(SCM)市场，预计δ来几年销售快速增长。