日前，亚里斯多德塞萨洛尼基大学(Aristotle University of Thessaloniki)的一个计算机工程师团队创造了世界上最快的全光RAM电池，它使用光而不是电来存储和传输信息。在发表在《光学快报》(Optical Letters)杂志上的论文中，研究小组指出，拟议中的RAM运行速度为10 Gb/s，读写功能分别为6.2 dB和0.4 dB。为了解决被称为“记忆墙”的难题，研究小组将InP光学触发器与集成在半导体光放大器-马赫-曾德尔干涉仪上的互连电路连接起来。它们还具有参数化的开/关开关，作为一个强饱和差分偏置的访问门来运行。

如果你想知道InP光学触发器是什么。这意味着这种材料是由磷化铟和一个由光学部件组成的触发器(或锁存器)类型的电路构成的——它具有基本的内存，可以连接到更大的电路上做更复杂的事情。现在来到马赫-曾德尔干涉仪，它决定了两个光输入之间的相位差。

研究小组在论文中写道:“光学随机存取存储器(RAM)被认为是电子存储器的高带宽替代品，这提高了人们对超高速操作的期望，这种操作可以解决ns-long电子RAM的存取瓶颈。”“然而，实验证明光学ram仅被限制在5 GHz以内，无法验证与电子器件相比的速度优势。”

[图片由Kathimerini通过Ellines.com提供]

亚里斯多德塞萨洛尼基大学无线与光子系统与网络(WinPhoS)研究小组的成员及其最新发明——世界上最快的光RAM。

计算机技术面临的主要挑战之一是处理器的速度比RAM的速度发展得快得多。这增加了两者之间的性能差距。其结果是处理器期望从慢得多的内存接收数据，从而延迟了计算机的整体性能。然而，这个新构建的RAM的性能/速度是最先进的光学RAM演示的两倍。10 Gb/s在一个RAM单元上?这是非常巨大的。唯一的缺点是这个东西的尺寸，目前是为超级计算机设计的。使用具有多个存储单元、使用不同波长光的高容量光学存储器有望获得更好的性能。