2月10日，西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成，以有竞争力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在车联网、移动设备和人工智能等相关数据呈现指数级增长的当下，BiCS5成为了理想的选择。

基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部数据目前已成功在消费级产品实现量产出货。预计到2020下半年，BiCS5将投入大规模量产。西部数据将推出一系列容量可选的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括1.33 Tb。

基于TLC与QLC闪存技术构建的BiCS5技术，在合理优化的成本上，提供了出色的容量，性能和可靠性，成为解决联网汽车、移动设备及AI相关的数据增长的理想方案。

西数目前已经开始初步生产容量为512Gb的BiCS5 TLC产品，且基于该技术的消费类产品目前正在出货。预计到2020年下半年，将大规模生产BiCS5。届时将推出一系列基于TLC、QLC技术的不同容量产品，包括1.33Tb。

BiCS5技术是与其技术制造伙伴铠侠（Kioxia，原东芝存储器）共同研发，也将会在日本三重县四日市市和日本岩手县北上市的合资工厂里生产。

西数存储器技术与制造高级副总裁Steve Paak博士提到：“随着步入下一个十年，新的3D NAND缩放方法对于继续满足不断增长的数据量和数据速率的需求至关重要。”

Steve Paak还表示：“我们成功生产的BiCS5体现了西数在闪存技术上的持续领导地位以及对技术路线图的高效执行力。通过利用多层存储孔技术的最新技术进成果，增加横向密度并增加存储层，我们在继续提供客户期望的可靠性和成本的同时，极大地扩展了3D NAND技术的容量和性能。”

西部数据存储技术与制造部门高级副总裁Steve Paak表示：“随着又一个十年的到来，新的3D NAND演进对于继续满足数据量的不断增长和性能的需求都至关重要。BiCS5的成功生产体现了西部数据在闪存技术方面的持续领导地位，以及对长期路标的高效执行力。通过利用多层存储孔技术来提高存储密度增加存储的层数，我们显著提高了3D NAND的容量和性能，从而不断满足用户期待的高可靠性和低成本。”

BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺，是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3D NAND。第二代多层存储孔技术、改进的制造工艺流程以及其他3D NAND单元的增强功能，显著提高了整个晶圆水平面单元的阵列密度。这些“横向扩展”技术与112层垂直存储能力相结合，使BiCS5相比于西部数据上一代的96层BiCS4技术，其每片晶圆的存储容量提高了40%*以上，同时优化了成本。新的设计改进还提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%。

BiCS5是与其技术和制造伙伴铠侠株式会社（Kioxia Corporation）共同研发，将会在日本三重县四日市和日本岩手县北上市的合资工厂生产。

依托BiCS5技术，西部数据将推出基于3D NAND技术的个人电子产品、智能手机、IoT设备和数据中心等全方位系列产品。

具体到产品上，恺侠正准备于今年第一季度出样512Gb的TLC颗粒，大规模量产的时间点则是放在今年下半年。另外，他们还准备了容量为1Tb的TLC颗粒和1.33Tb的QLC颗粒。其他几家NAND的主要供应商或是正在开发1xx层数级别的堆叠技术，或是已经准备将这些技术用于量产了。但是远水解不了近渴，目前SSD即将处于供需周期中的供不应求阶段，我们已经看到了价格上涨的苗头，而这些增加供应量的新技术还要等上一段时间才能够起效。

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