联电在11月9日半夜出具声明（详见附件）其中两大段文字强调，美光诉讼中所涉及的DRAM技术与联电DRAM技术不同。
一：相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假像，联华电子的DRAM技术基础里的组件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的存储器架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的（出自联电声明稿）。
二：另一个错误的印象是美光公司在美国开发25nm的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25nm DRAM技术（出自联电声明稿）。
外界将此视为联电反击美光诉讼案的「强而有利」证据，但实情并非如此。联电发表声明看似「重炮」反击美光，实则效果有限，为什么？
完全没提到「营业秘密」四个字，揭露的东西都是众所皆知
由于联电的声明内容相当短，内容破碎，声明也缺乏重要的时间序列关系，段落的前后因果关系并不明确。最重要的事，完完全全没有提到「营业秘密」这个最重要的关键词。
因此虽提出很多诉讼案相关讯息，但其实都不是诉讼关键重点。
声明有强调的两大重点：
1.联华电子的DRAM技术基础里的组件设计，是完全不同于美光公司的设计。
2.美光25nm技术购自瑞晶与尔必达。
这两点和营业秘密之间的关联完全空白。看似说得很多，但完全没有办法从此推敲出什么进一步的讯息。
而且联电说的这些东西都是业界众多皆知的Common Sense，并非因为这次诉讼案特别揭露的「新内幕」。
侦查内容保密令：联电不会知晓美光诉讼中所言的侵犯营业秘密细节为何
一名熟悉智权的智权管理师对指出，「由于营业秘密有『侦查内容保密令』制度，（意指所有档均以弥封方式处理，仅承办法官、书记官等始得接触相关诉讼之诉讼资料，其余之法院人员不得拆开或阅览该等资料）。」
「因此，联电不会知晓美光诉讼中所言的侵犯营业秘密细节为何。」
既然无法清楚知晓所侵犯的营业秘密细节为何，也就无法对此发表应对的声明了。仅能猜测，既然是猜测，那离有利证据还有很大一段模糊空间。
仅不到10％的人曾在美光公司工作非重点
联电声明还强调，「自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个项目的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过（出自联电声明稿）。」
这个声明的效用也非常薄弱，因为来自于美光的员工数量并非事情的重点，就算联电该项目研发团队中，「仅有一名」员工来自于美光，若该员工「真有」窃取美光营业秘密之事，那联电还是触犯该法。也就是说，联电该研发团队来自美光的员工数量，与员工有无窃取营业秘密是没有关系的两件事。
提升公司声誉效果有限
联电仅可能只是就目前外界（媒体）讨论的重要营业秘密议题如25nm等DRAM技术发表声明。但这份声明稿无法被视为诉讼案的强而有力证据。
因此除挽救公司声誉、品牌形象，或是影响媒体救股价护盘，真正的效果可能相当有限。
晋华和联电今年1月曾控告美光旗下子公司侵权，7月法院裁定晋华和联电胜诉，美光必须停止在中国大陆销售DRAM和NAND FLASH的产品，也让外界认为埋下了复仇火种。
10月30日美国商务部出手，以危害国家安全为由将晋华列入禁售名单，台湾网络媒体引述《emTech China》报导指出，在禁令生效当天，美国3大半导体设备供应商应用材料、 Lam Research、 Axcelis随即全面撤出晋华12英寸晶圆厂，使得晋华生产线几近停摆。同时联电也在禁令生效次日就断尾求生，宣布停止和晋华DRAM技术开发合作。
1日美国加州北区联邦检察官办公室以刑事诉讼起诉福建晋华和台湾联电共谋窃取美光商业机密，起诉书中指出涉案3名台湾男子，分别为陈正坤（Stephen Chen Zhengkun）、何建廷（He Jianting，译音）、王永铭（Wang Yungming，译音），该3人全都曾任职美光，并疑似在转加入联电时窃取美光技术。
加州北区检察官Alex Tse表示，此案台湾政府已协助调查。另有台媒引述台湾司法单位人士说法，10月19日深夜陈正坤返台，飞机刚降落桃园机场，就收到由台湾法务部官员转交的美国联邦法院传票。
此外，根据《彭博社》报导，起诉书内容指称，晋华和联电所窃取的美光商业机密价值超过87亿美元，除了刑事以外，司法部还会提起民事诉讼，以阻止晋华和联电靠着「有争议」的商业机密，将其产品运输到美国。报导中更提到，美司法部长Jeff Session指控，该行为是「很无耻的阴谋，必须停止」，强调司法部会积极处理这类的行为。
针对美方起诉，联电声明表示遗憾，也在声明中强调，公司研发集成电路已近40年，已经投注无数资源进行相关技术的研究发展，并且在世界各地拥有数以千计有效的技术专利布局。对于任何联华电子可能违反法律的指控，联电都将严正以对，并拟竭力回应该等指控，目前已委请律师处理，捍卫公司与股东权益。
附件一：联电声明
联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计划启动当时，已经是落后几个世代的技术。
社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。
另一个实例则是：Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。
联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考虑的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。
自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个项目的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。
相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假像，联华电子的DRAM技术基础里的组件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。
另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米 DRAM技术。
联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。
