使用传动装置使变速驱动器更坚固耐用

变速驱动器(VSD)可以非常有效地改变电动机的扭矩和速度,并广泛用于电动机驱动,伺服和加热等重载应用中。在采用VSD之前,交流输出功率只能施加在电网功率的线路频率上,通常在不需要全速时使用机械制动。因此,根据需求调节速度不仅可以减少能耗,而且可以延长电动机的使用寿命。最受欢迎的一种实现此目的的设备是转换器-逆变器-制动(CIB)模块。图中显示了CIB模块的基本结构。模块电路由三部分组成:两个变频器和一个制动器。在正常运行期间,转换器级的输入(图1中的R / S / T)从电网汲取三相电力,并将交流电调节为直流电。


有两种常用的三相电压。240V级和400V级; 根据电压大小,建议使用650V CIB类模块或1200V CIB类模块。经转换器级之后,将立即将电容器连接到DC总线,以消除来自逆变器的电压纹波。然后,逆变器级将DC输入斩波为AC输出为电动机供电。这可以通过打开和关闭模块中的6-IGBT来实现。输出电压/电流通过脉冲宽度调制来控制;信号被构造为产生以所需速度和方向驱动电动机所需的功率。当安森美半导体定义TMPIM电源模块的安培额定值时,电流是指逆变器部分中的IGBT额定值。1200V 25A TMPIM CIB模块将提供5kW的电动机功率;35A TMPIM将输出7.5kW; 50A可提供10kW,15kW和20kW的功率。


在具有风扇,泵和加热器驱动器的应用中,如果再生功率不明显,则可以卸下制动器。在这种情况下,该模块称为CI模块,它作为转换器逆变器模块。

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电源集成模块的创新包装


通用CIB / CI模块使用填充凝胶的包装,该包装将功率组件封装在外壳内。这种方法涉及一个多阶段的制造过程,但更重要的是,它固有地结合了不均匀材料和界面的额外层,这会削弱模块并降低其坚固性。安森美半导体通过开发传输模制功率集成模块(TMPIM)。顾名思义,开发的过程是一种单阶段的封装技术,可以用相同的材料创建包装和包围组件的介质。


迄今为止,安森美半导体已采用其TMPIM工艺开发并发布了许多针对功率要求在3.75 kW至10 kW之间的应用的模块,包括六个额定电流分别为25 A,35 A和50 A的1200 V CIB模块。这些设备在DIP-26封装中提供,包括CBI和CI变体。现在,安森美半导体将扩展其产品系列,提供1200 V CBI模块,这些模块提供75 A和100A的电流输出,并推出一系列650 V模块,额定电流在35 A和150 A之间。这些设备将能够满足功率要求高达20kW的应用,并在QLP封装配置文件中提供。DIP-26封装的两侧都有端口,而QLP是四边形的引线框架封装,四个侧面都有端子。


封装增强带来更高的功率密度


为了适应更高的输出功率水平,安森美半导体进一步开发了其TMPIM工艺,推出了标准版和增强版。增强版本采用了具有较厚铜层的高级基板,从而无需基板,使两种封装形式的外形尺寸保持不变。这使制造商根据其功率需求在两者之间进行迁移更为简单。与可比较的模块相比,卸下底板可将模块的体积减少约57%,同时与标准TMPIM封装相比,可将导热率提高30%。

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更长的寿命


通过增加铜的厚度,使封装具有较低的热阻和较高的热质量,而先进的基板进一步提高了模块的可靠性。


如前所述,整个组件,包括芯片,引线框架和键合线,都封装在环氧树脂中。在DIP-26程序包中,CBI和CI模块都共享相同的引脚分配。在CI模块中,制动端子没有内部连接。


结论


在电机驱动,伺服和HVAC应用中,VSD通常采用CIB或CI电路中的电源模块。通过创新的TMPIM技术开发功率集成模块,安森美半导体现在能够以更小的封装提供更高的效率和更高的功率密度。


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