12月24日，耐威科技在投资者互动平台表示，8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计将于2019年二季度实现量产出货；氮化镓功率与微波器件预计将于2020年实现量产出货，均面向5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域的产业链中下游客户。

耐威科技在本月就已发布公告称，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”。

    耐威科技发力第三代半导体有成效  

2018年，为布局并把握宽禁带化合物半导体材料（即第三代半导体材料）产业的发展机遇，耐威科技先后投资设立了控股子公司聚能创芯和聚能晶源。其中，耐威科技持有聚能创芯35%的股权，持有聚能晶源40%的股权。资料显示，聚能晶源主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产，主要聚焦相关材料在航空电子、5G通信、物联网等领域的应用，完善并丰富公司产业链。

自成立以来，聚能晶源先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关，成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。据了解，该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

耐威科技表示，在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。

公告称，本次“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，短期内不会对公司的生产经营产生重大影响，但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备，有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。

    第三代半导体材料有何优势？  

据悉，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，与第二代半导体硅（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度（>3 eV），一般也被称为宽禁带半导体材料。

得益于禁带宽度的优势，GaN材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于Si、GaAs等传统半导体材料。

此外，GaN材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较Si更为优异，因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件，在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。

与此同时，将GaN外延生长在硅衬底之上，可以有效地结合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圆的大尺寸、低成本优势。基于先进的GaN-on-Si技术，可以在实现高性能GaN器件的同时将器件制造成本控制在与传统Si基器件相当的程度。

因此，GaN-on-Si技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术。

第三代半导体材料即宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAS）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN），较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。微波射频领域、光电领域、电力电子等领域为第三代半导体提供了广阔的市场空间。

北京耐威科技股份有限公司于2015年5月14日在深圳证券交易所创业板挂牌上市，股票简称为“耐威科技”，股票代码为“300456”，公司截至目前的注册资本和实收资本均为18,783.66万元，法定代表人为杨云春，公司住所为北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)。

公司自2008年成立以来，长期从事惯性、卫星、组合导航产品的研发、生产与销售，已经形成了“惯性导航+卫星导航+组合导航”全覆盖的自主研发生产能力，旗下全资子公司耐威时代拥有具备《武器装备质量体系认证证书》、《二级保密资格单位证书》、《武器装备科研生产许可证》、《装备承制单位注册证书》等从事军品研发、生产与销售的专业资质。基于产业链拓展及外延发展的需要，公司于2016年7月完成对瑞通芯源100%股权的收购并间接控股了全球领先的MEMS芯片制造商瑞典Silex，于2016年11月完成对高速信息处理厂商镭航世纪的收购，同时计划通过内生增长及外延并购，继续积极布局航空电子、MEMS制造、无人系统、智能制造等业务板块，努力成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。