设计嵌入式系统（如医学分析系统，车库门开启器，电钻，生产线设备或类似产品）的公司需要保证20年甚至更长的必要组件供应。 通过构建围绕这些系统中的微控制器（MCU）的支持芯片，包括模拟和串行存储设备，嵌入式芯片供应商可以保证只要客户需要它们，或者直到他们停止订购，它们都将可用。  由于它们可以在众多嵌入式控制系统中发挥重要作用，因此，小密度NOR闪存设备应仔细观察并考虑新设计。

    对小密度存储器的持续需求  

 小密度串行NOR闪存IC具有足够的容量，足以满足家用电器，LED控制器和工业电源等日常嵌入式MCU应用的可承受开发需求。

 尽管许多领先的NOR闪存供应商都已停止了小密度存储器的生产，宣布了寿命终止（EOL）并迫使设计人员使用更大的NOR器件，但在当今市场上，对小密度存储器的需求仍在不断增长 。例如，一个仅需8 Mbit NOR闪存编程代码但使用128 Mbit NOR闪存IC构建的小型系统，在功耗和总体系统成本方面造成了低效率。

 在车库门开启器和电钻等无处不在的产品中，微控制器是嵌入式系统的核心。 在系统方法中，几种不同的IC技术在应用程序中支持MCU，以提供特定系统所需的功能，性能和成本。除了满足其他应用要求之外，芯片还需要很小。最简单的系统只需要一些额外的组件，包括外部存储器，即可提供独特的功能（图1）。  这些类型的产品/系统需要内存，但不是很多。

 1.微控制器为嵌入式系统提供了基础，但是特定应用还需要其他几种IC技术，包括NOR闪存。

    小密度NOR闪存的选项  

 虽然低密度NOR闪存可能不适合大型NOR闪存供应商的计划或策略，但它非常适合嵌入式公司的产品和系统方法。 例如，一个典型的家庭很容易拥有几十个带有8位，16位甚至32位MCU的嵌入式系统。  这些系统中的大多数不需要大量代码，并且外部NOR闪存可以提供校准数据，校准参数，事件日志等。

 许多MCU都带有内置闪存，但是许多情况下会使用外部NOR闪存。在最终系统中安装之前进行刷新和编程只是其中一些原因。 常见的应用包括基于嵌入式MCU的系统，该系统连接外部NOR闪存以保存图像集以在小型设备屏幕上显示，或者微控制器系统连接外部NOR以便非易失性记录测量数据，更改系统性能和任务管理。

 此外，诸如现场可编程门阵列（FPGA）和复杂可编程逻辑器件（CPLD）之类的门数较少的专用集成电路（ASIC）使用小型NOR闪存进行应用内编程，引导代码和执行-place（XIP）操作。

在当今对功耗非常敏感的设计中，过高规格的NOR闪存（可能只有128 Mbit，而只有8 Mbit的设备才能轻松完成工作）可能会导致几毫瓦的不必要功耗。利用2、4和8Mbit密度的高质量存储设备，开发人员可以节省功率（和电池寿命）并降低成本。

 对于较小的裸片，待机电流较低，并且有许多充分的理由仅使用特定设计所需的存储器。 例如，在3V，128Mbit NOR闪存中，待机电流（Isb）最大值为45至50 µA，写入电流为30至35 mA（最大值）。相反，一个3V，8Mbit NOR闪存的Isb = 30 µA（最大值）（减少1/3），写电流为25 mA（最大值）（减少1/4）。

 读取与随机存取存储器类似，NOR闪存非常适合XIP应用，它们具有低待机功耗和可通过标准串行接口（例如SPI）直接访问。

由于它们采用8引脚SOIC和8触点WDFN（6×5 mm）之类的8引脚封装，因此小密度NOR闪存器件也具有很高的板级效率。对于电路板空间有限的大批量应用（例如电动牙刷），晶圆级芯片级封装（WLCSP）可节省大量封装空间（几乎为69％）（图2）。

 2. 8 Mb和128 Mb WLCSP的较小包装可能非常重要，尤其是在空间有限的情况下。

该表总结并比较了通过使用8 Mbit NOR而不是过度指定128 Mbit NOR所节省的成本。如果可以使用较小的4或2 Mbit设备，则节省的电量甚至更大。

知道这些类型的低密度闪光灯可满足将来的需求，可能会改变某些产品的设计理念。特定的应用程序可以只使用完成工作所需的内存量，而不必围绕需要更多功能的产品进行设计。

    改进的NOR闪存  

由于小密度NOR闪存已成为嵌入式系统供应商产品组合的重要组成部分，因此产品改进必不可少且不可避免。最近推出的8、4和2 Mb NOR闪存（SST26VF080A，SST26VF040A，SST26VF020A）提供了性能改进的示例。

根据Microchip的说法，这些NOR闪存产品中的SuperFlash技术提供了业界最快的擦除时间，块擦除时间快了20倍，全芯片擦除速度快了1000倍。通过直接替换现有的NOR闪存设计，可以提高吞吐量并帮助降低制造成本。

 为了进一步节省功耗，3V，128 Mb NOR闪存（不采用SuperFlash技术）的最大块擦除时间为0.7到1秒。相比之下，3V，8Mbit NOR闪存（采用SuperFlash技术）的最大块擦除时间为25 ms（快30倍）。除了节省时间外，在一个重写周期内，每个块擦除的擦除/重写功率差均为〜800 ms * 33 mA。

此外，时钟频率高达104 MHz的串行四通道I / O（SQI）接口可在较小的空间内提供出色的性能，同时降低总体系统成本。