1.速度

内存条的速度一般用存取一次数据的时间（单位一般用ns）来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SD     RAM   内存速度则已达到7ns。

注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。

2.容量

内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。

3.奇偶校验

为     检验   存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验     电路   对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。

注：     计算机   是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。

4.内存的电压

FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的     跳线   不能设错。

5.内存主频

内存主频代表着该内存所能达到的最高工作效率。内存主频是以MHz（兆赫兹）为单位来计量的。内存主频越高，在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。

6.存取时间TAC（Access  TI meCLK）

TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。存取时间用-6、-5标识（-6表示60ns，-5表示50ns）。

7.CL（CASLatency）

CL（CASLatency）为CAS（ColumnAddressStrobe，列地址控制器）的延迟时间。它是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。

8.SPD芯片

SPD（SerialPresenceDetect，串行存在探测）是一个EEP     ROM   芯片，里面保存了该内存条的相关资料，如容量、芯片的厂商、工作速度、是否具备ECC校验等参数。在开机时由主板B     IOS   程序从SPD芯片中的资料并以此设定内存的工作参数，使之以最佳状态工作，更好地确保系统稳定的工作。
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