虽然MOSFET产品的应用处于迅速的扩张中，并且是厂商研发活动的焦点，但是目前SiC功率器件的商业应用仍然以肖特基二极管为主。在这里，本小编结合应用和器件本身2个方面，介绍一下当前SiC肖特基二极管的技术特征、面临的障碍和今后发展的趋势。

 市场现状和挑战
1．成本
目前SiC器件广泛应用的最大障碍还是成本。可以说，如果SiC功率器件的成本能够降到接近于硅器件的水平，那么很多问题就能迎刃而解，而不会是今天这个局面。目前最典型的SiC肖特基二极管产品（600V10A）的市场价格还是同规格硅FRD产品的5～6倍以上。对于更大的额定电流的产品，成本差距就更悬殊。实际上，由于市场规模还小，当前为数不多的SiC器件厂商绝大部分都没有足够充分的产能资源，都是在赔本补贴，实际上也无法保证大量供货。因此，能否降低成本，能否保证供应，是下游应用厂商对器件厂家的最大疑问。在这个问题得到满意答案之前，SiC肖特基二极管的应用被局限在少数不得不用的领域。典型的有下面4个方面。

（1） 高端音响
主要利用SiC三极管的优良的高温高功率下的放大功能（BJT、JFET、MOSFET），以少畸变、高保真达到最佳音响听觉效果。但是对SiC肖特基二极管也有明显的需求，可以用在不同的电路部分。这是一个追求性能和用户体验，对成本不敏感的行业，是SiC肖特基二极管（同时也是SiC功率器件）的第1个民用下游领域，曾经在早期为SiC功率器件厂家提供了最初的现金流。由于我国缺乏高端音响制造业，在SiC器件行业起步也较晚，未能得到进入这个市场的机会。

（2） 服务器电源功率因数校正（PFC）

 这主要是因为大量服务器集中放置，耗电较高，同时硅快速恢复二极管（FRD）发热较高。改用SiC-SBD后，提高效率，除了减少耗电，更重要的是降低器件温度，减少散热成本，提高了至关重要的系统可靠性。在新能源汽车兴起之前，服务器电源PFC一度是SiC-SBD最主要的市场。这个应用领域对可靠性的要求较高，已经被欧美日公司占据，国内厂商因为起步较晚，渗透十分困难。图1是一个典型的PFC升压电路图。

（3）光伏微型逆变器升压电路
主要是因为家庭光伏所用的微型逆变器体积较小，需要提高工作频率来减小被动原件的体积。在高频下，硅FRD的效率下降。一些国家和地区（比如欧盟、加州、澳大利亚等）对光伏微逆入网有效率限制，大致为95%左右，这就使得SiC-SBD成为必须的选择。光伏微逆所用的SiC-SBD功率等级较低，应用工况（电路环境）比较理想，对产品的电环境可靠性要求较低，产品质量和成本都比较容易满足要求。这是目前SiC器件厂商主要的利润来源。一旦家庭太阳能通过政策支持等方式普及，SiC功率器件产业必然会有爆发性的发展。

（4）便携式电动车充电机PFC
这个应用考虑与光伏微逆类似，区别是对效率下限并无法规限制，但是由于占用新能源汽车空间和重量载荷的缘故，对小型轻量化的要求更迫切，所以普遍地采用SiC-SBD。相应地，空间和质量限制方面考虑较少的固定式充电桩，SiC-SBD的渗透率就低一些。目前电动车充电机处于一个爆发性增长阶段，对国产SiC器件的需求很旺盛，是国内厂商必须抓住的市场机会。