反相器构成的正弦波发生器     电路    

反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在     模拟电路   ，比如说音频放大，     时钟振荡器   等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。随着微电子技术与工艺的不断发展和创新，以计算机为代表的各类数字电子产品应用越来越广泛，与此同时也面临着更加复杂的电磁环境。

CMOS反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心，它具有较大的噪声容限、极高的输入     电阻   、极低的静态功耗以及对噪声和干扰不敏感等优点，因此广泛应用于数字集成电路中。HPM可以通过缝隙、孔洞以及外露连接线缆等“后门”途径，     耦合   进入电子系统内部，影响系统内器件的正常工作，CMOS反相器作为构成数字集成电路最基础的功能单元和数字电子系统中最为典型的器件，极易受HPM“后门”耦合作用的影响，进而产生干扰、扰乱或直接损伤效应。另外，CMOS反相器有明确的逻辑功能，HPM或者其它类型的强电磁脉冲对其产生的扰乱效应相比于对其它器件来讲更加明显。

因此，研究数字集成电路或者数字电子系统的HPM效应，可以从CMOS反相器的HPM效应研究入手。已有研究指出HPM可以引起CMOS反相器的闩     锁   （latch-up）效应，进而导致扰乱效应，Kim等人对CMOS反相器的HPM效应进行了大量的实验研究，得到了一些重要结论，比如，当HPM频率较高时其引发的CMOS反相器扰乱效应将会被抑制等，CMOS反相器在HPM作用下会发生门锁效应并导致功能扰乱，但是一段时间后其功能可能会恢复正常，HPM引起CMOS反相器闩锁效应的能量阈值特性。这些报道多数都是HPM效应实验的结果描述和规律统计，而针对具体效应与规律进行机理分析和微观解释的研究则相对较少。

如图所示为反相器构成的正弦波发生电路。该电路可获得几兆赫以上高稳定性的正弦波。图中A1和晶振组成振荡电路，A1的输出再经缓冲器A2后输出正弦波信号。电路中，A1为线性     放大器   ，整个电路工作于放大状态。由于采用的晶振特性不同．电路输出频率和电压有所不同，而R2可用来进行波形调整。为了获得准确的振荡频率，可在     电容   C1两端并联半可变电容进行微调。电路的振荡频率由晶振决定，改变晶振可改变输出信号频率。