MEMS技术是随着     集成电路   ，尤其是超大规模集成     电路   发展起来的一门新技术，经过几代科学家的努力，MEMS如今在不同的行业和不同的领域相继规模化生产，展现了微机电系统及其微系统的巨大应用前景。

MEMS技术被誉为21世纪具有革命性的高新技术，也被称为颠覆性技术之一。其诞生和发展是“需求牵引”和“技术推动”的综合结果，更是一部恢宏壮阔的技术演变史，蕴涵了历代科技先驱们的智慧结晶。于是，     传感器   专家网整理了MEMS技术发展史上的关键时刻。

1947年，美国贝尔实验室发明点接触式双极性     晶体管   ，现代半导体产业自此诞生，信息时代就此开启。     晶体   管可以说是20世纪最重要的发明，距今已经有70多年了。

1954年，C.S史密斯发现了硅锗的压阻效应（当受到     应力   作用时     电阻   率发生变化．这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”）。许多MEMS     压力传感器   利用了这一特性，此后，压     力传感器   开始商业化。

1958年9月12日，JackKilby紧张地将十伏电压接在了输入端，再将一个     示波器   连在了输出端，接通的一刹那，示波器上出现了频率为1.2兆赫兹，振幅为0.2伏的震荡波形。现代电子工业的第一个用单一材料制成的集成电路诞生了。一周后，JackKilby用同样的方法成功地做出了一个触     发电   路。JackKilby的实验告诉人们，将各种电子器件集成在一个晶片上是可行的，世界从此进入了集成电路时代。

1959年，美国物理学家理查·费曼发表名为《底部有足够的空间》的演讲，他对纳米技术提出了预言，且极大地推动了微纳技术（NEMS）的研究。

1962年，微小器件的先驱——第一个硅微压力传感器问世，开创了MEMS技术的先河。它的特征是用硅膜、     压敏电阻   和体硅腐蚀。它是MEMS微传感器的起始点，同时也是MEMS体加工（bulk     mi   c     rom   achining）的起始点。

1967年，美国西屋研究实验室Nathanson等人报道了硅谐振栅晶体管。它的特征是用静电激励起栅     振动   ，它是MEMS执行器的起始点。

1968年，硅谐振栅晶体管（RGT）获得专利，这是最早的微静电执行器，也是最早的表面微加工技术。

1971年，     英特尔   公司的费金工程师制造出了世界上第一只商品化的     CPU   微处理器：     Intel   4004，它被称为“超大规模集成电路”，开创了微型     计算机   的新时代。

1978年，美国IBM的Bassous等人报道了硅微喷嘴。它是MEMS微结构的起点。

1979年，惠普公司发明了世界第一个MEMS喷墨打印头，MEMS技术开始用于制造喷嘴。

1982年，X光LIGA光刻技术被公布，可开发高深宽比，高精度的2D、3D微结构件及微系统。

1986年，基于MEMS的原子力显微镜（AFM）技术诞生，极大地促进了表面微纳技术的发展。

1987~1988年间，一系列关于微     机械   和微动力学的技术会议召开，MEMS一词在这些会议中被广泛采纳并逐渐成为一个世界性的学术用语。1987年美国伯克利加州大学发明了微     马达   ，引起国际学术界的轰动，人们看到了电路与执行部件集成制作的可能性。1988年美国的一批著名科学家提出“小机器、大机遇”，并呼吁美国重视这一重大领域的开发。

1992年，MEMS光栅光调制器问世，广泛应用于显示技术，图像印刷，平板印刷和光通讯中。

1993年，多用户共享MEMS工艺（MU     MPS   ）出现，人们开始研究MEMS的标准工艺。同时，美国     ADI   公司采用MEMS技术成功实现微型加速度计的商品化，大批量应用于汽车防撞气囊，标志着MEMS技术产业化的开端。

1994年，     博世   发明硅高深宽比加工的深度反应离子刻蚀工艺（DRIE），成为了MEMS的主流工艺。此后，MEMS技术发展迅速，特别是围绕深槽刻蚀技术发展出多种新型加工工艺。

2000年，MEMS高速发展，     光学   、声学、生物等领域出现了形形色色的微器件，MEMS     光学传感器   爆发。

此后，MEMS工艺不断取得进展，商业化浪潮也越发汹涌~