LED芯片的主要分类,各自的特点又是什么?

 据本小编了解,LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。今天本文就给大家着重的介绍下LED芯片的主要分类以及其各自的特点是什么?有兴趣的小伙伴不妨随着本小编的步伐一起来看看!

 

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MB芯片
定义:MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

 特点:

 1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.


Thermal Conductivity

GaAs: 46 W/m-K

GaP: 77 W/m-K

 Si: 125 ~ 150 W/m-K

 

Cupper:300~400 W/m-k

 SiC: 490 W/m-K

 


2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收.

3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍),更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热

5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

GB芯片

定义:GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

 特点:

 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.


2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图

3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)

4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点

定义:TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

 特点:

 1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED


2. 信赖性卓越

3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高

 4.应用广泛

 

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定义:AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

 特点:

 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮


2. 信赖性优良

3. 应用广泛

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