在电子镇流器、电子调光等     电路   中时常可以见到双向触发     二极管   元件。双向触发二极管是与双向     晶闸管   同时问世的，常用来触发双向晶闸管。

双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基极     开路   、发射极与集电极对称的NPN     晶体管   。其正、反向伏安特性完全对称。

当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态;当 U》Ubo 时进入负阻区。同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。

转折电压的对称性用△Ub表示

△Ub=Ubo-|Ubr|

一般要求 △Ub

双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压     保护电路   。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。

双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向     可控硅   ，在电路中作过压保护等用途。

图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型     晶体   管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5）。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V（B0）时，器件呈高阻态。当U》V（B0）时，管子     击穿   导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V（B）表示。△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用     万用表       电阻   挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k），但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的     电流   不要大于是5mA。用晶体管耐压     测试   器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行     测量   （正、反各一次），电压大的一次V（BR）。例如：测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，则△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V《2V，表明该管对称性很好。

图7是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节     电位器   R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。

该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。

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