近期中国大陆紫光集团再对外公开表示，与重庆市政府签署合作协议，将在重庆建立DRAM研发中心与DRAM厂等，并预计在2021年完工投产，另也传出紫光将与美光结盟抢攻半导体，两消息再引起业界高度关注。事实上，大陆的存储器产业早已开始发展，业界表示，大陆今年在贸易战压力下，更将加速推动存储器产业的布局。
1.陆火攻存储器 全球临大敌
陆拚半导体自制能力
紫光集团大动作宣布与重庆市政府签署合作协议，让全球及台湾科技产业高度关注中国大陆提升半导体自制能力的布局及进展，尤其此次是针对存储器产业进行新一波的生产基地布局。
市调机构TrendForce指出，观察中国大陆存储器产业发展，自2014年来历经大基金的成立及各地方政府投入发展，DRAM产业出线的有合肥长鑫与晋华集成两家，NAND Flash产业以长江存储为发展主力。
合肥长鑫年底前推DDR
中国大陆在半导体产业链的完整性独缺DRAM这块版图，去年福建晋华却因为踩到美光的红线，且遭到美国制裁，造成营运停摆，研发的进程也没有明显推进。业界人士说，福建晋华遭美国发布禁售令，发展DRAM严重受挫，这可能是促使紫光重启开发DRAM计划的主因之一，虽然福建晋华发展受挫；不过，合肥长鑫存储技术公司发展相对顺利，该公司已规划在今年底前推出自有的DDR产品。
大陆DRAM供应商长鑫存储技术公司（CXMT），拥有数千名员工，每年的资本支出预算约为15亿美元，预计在今年底前量产行动式8GB的DDR产品。
将月产万片硅晶圆
今年6月，日本媒体“日经新闻”报导，长鑫储存已经重新设计自家的DRAM芯片，并大幅降低美国芯片的使用量，该报导还指出，长鑫储存已在中国合肥斥资80亿美元，大约2400亿新台币的资金，打造一座芯片制造厂，预计今年底投产，一开始预计将月产10,000片矽晶圆。
一位熟悉长鑫储存计划的人士说，长鑫今年的资本支出将达到10至15亿美元，这已超越台湾最大、也是全球DRAM排名第四的南亚科，南亚科去年的资本支出仅约6.5亿美元，从资本支出的规模，也不难看出，大陆的企图心的强烈，及未来在全球存储器产业将会具有的影响力。
陆必走的自主科技路
存储器产业的业界人士表示，以中国大陆的大方向来看，自主发展存储器产业是必定要走的路，由于中国大陆的存储器用量占全球三分之一，如果可以自产取代进口，对于自主可控的程度将有很大的助益。
另外，存储器在新兴科技上也占有相当重要的地位，包括车用、云端运算、服务器等，甚至是手机、PC等的应用，因此，存储器产业发展是未来中国自行发展半导体产业，乃至整个科技产业的发展基石；而这个中国大陆不得不走的方向，在今年中美贸易战层面扩大至科技战之后，更加速、也更坚定中国大陆的存储器产业发展步调。联合晚报
2.存储器是新“惨”业？台厂3——5年后见真章
全球存储器产业由三星、海力士及美光三强寡占市场，未来中国大陆大举投入是否又将让产业变为红海的“惨”业，分析师认为，从投产至提升至高良率仍需数年时间，再加上未来三至五年，存储器需求强劲，因此，分析师说，至少未来几年，存储器产业仍是正向看待。
业界忧再现产业重整
中国大陆布建存储器产业的动作持续加快、扩大，不仅台湾厂商担心，全球前三大厂也深怕十几年前，包括日系的尔必达、台湾的茂德、力晶都仍在生产线上时，存储器产业严重供过于求之下，价格杀到见骨，直到不少厂商陆续退市场惨况之后，产业秩序才又重整，但这样惨状，未来会不会再因大陆投入而重现？
业界的担心并非多虑，因为大陆向来以冲大生产规模著名，而且更由于在产业发展上，过去大陆电子厂商挟官方支援，并享有官方补贴，大举扩产并削价竞争抢市，导致产业严重失序。
过去20年来，包括面板、太阳能、LED等领域，都因陆厂介入而陷入红海市场，目前DRAM产业的供需就已不算平衡，去年以来，就传出供给过剩的情况，紫光进军DRAM制造，市场人士说，未来DRAM产业在陆厂投入之后，供给量过剩、杀价竞争，几乎已无可避免。
3大厂垄断九成DRAM
目前全球约九成DRAM市场由韩国三星、海力士、美国美光三家公司垄断，台湾产业界人士表示，紫光国芯集成电路股份有限公司将作为紫光集团现有和未来在各地设立的存储芯片厂的投资主体，未来的目标是最终成为另一个世界级存储芯片大厂。
不过，对此，台新投顾副总黄文清认为，大陆存储器产业要崛起仍需数年时间，主要由于紫光预计，新建厂要2021年开始生产，经过初期的试产、到量产；更重要的是，再到提升良率水准，以过去经验，常要至少一、二年时间。因此，就供给量上，陆厂要真正明显冲击全球供给，恐怕不是未来三年内的事。
2、3年内不致太悲观
再以需求面来看，黄文清说，今年以来，业界估计，2021年以后，在5G、AIoT、数据中心、电动车及各种车用电子大量使用下，全球存储器产业将迎来史上最大的一波需求高峰，而这也是去年下半年以来，美光等厂陆续进行扩产动作的主要原因。
黄文清表示，未来即使陆厂投入之后，虽然全球存储器的供给将大增，不过，在这波最大的需求潮之后，对产业供需的冲击仍不致太严重。长期而言，大陆投入势必冲击市场，但至少在未来二、三年内，整体产业仍不致太悲观。
至于未来在产业上对台湾三大存储器厂的冲击，黄文清则说，目前全球前三大厂依序是韩国的三星、海力士及美国的美光，三家大厂合计全球市占九成以上，因此，未来陆厂投入后，最担心的应是这三大厂，以产量而言，台厂未来将不会是同一个等级的竞争对手。
全球3大厂变4大咖?
台湾厂商也表示，未来比较可能的发展是，全球由目前的三大厂发展成四大厂，而台湾仍只是跟着四大厂的存储器报价走，没有主导市场价格能力的情况和目前一样，对市场真正的严苛考验，应该是在下一波存储器需求高峰过后，庞大的供给如何消化，但业者说，这个情况恐怕至少要在未来四至五年之后才会发生，目前仍难以预期。联合晚报
3.存储器不悲观 专家：明年下半又会供不应求
全球存储器的这一波供需秩序调整，已经正式结束了吗？台新投顾副总经理黄文清表示，可以说最谷底已过，但是产业要回升的时间点预计要到明年（2020）第二季底，届时，全球的存储器供需有机会再度反转，呈现供不应求的情况，因此，对台湾存储器厂来说，目前仍在缓步回升过程，明年市况及业绩将可望有优于今年表现。
目前价格修正已明显趋缓
对近几年来的DRAM价格观察，黄文清表示，观察过去的DRAM价格走势图可以看出，过去几年的这一波价格涨势，高峰是落在去（2018）年第二季底，去年第三季开始进入修正，目前价格仍在修正的过程中；不过，相较过去二季，目前价格修正的力道及空间都已明显趋缓。
虽然在6至7月，DRAM价格出现一波约四成的价格涨幅，8月又再出现小幅回跌，不过，黄文清说，主要是因为DRAM价格仍处于修正的过程中，就像是股价修正过程中的反弹波，而这波反弹是因电子产业传统旺季所带动，预期在旺季过后，价格仍可能出现下修，不过，由于价格已相当接近修正底部，跌价力道明显缩小。
NAND Flash下季有机会上涨
整体而言，黄文清说，DRAM价格将在明年第二季底完成长线的修正，届时，在5G、IOT及车用电子的需求更大幅的释放之后，DRAM将再次呈现供不应求的局面。
另外，再看NAND Flash的价格走势，黄文清表示，在先前东芝生厂工厂停电冲击，再加上日韩贸易争端，使得先前NAND Flash也出现价格反弹，但目前各厂仍处于亏损出货的情况；因此，预期今年第四季仍有机会维持价格上涨表现，预料在明年初，NAND Flash价格将回升到厂商的生产成本之上，明年上半年价格走势也仍持续乐观。联合晚报
4.存储器厂砍支出 挽救价格跌势
根据市调机构IC Insights报告，由于存储器产业在2017∼2018年间大举投资扩产，随着产能大量开出，导致存储器市场近一年来供给过剩且价格下跌，在存储器厂减少资本支出及延后扩产下，拖累2019年全球半导体产业资本支出规模年减约8％至978亿美元，较去年减少80亿美元，而存储器产业占全球资本支出比重亦降至43％。
业内人士认为，存储器价格走跌，已有效刺激出市场需求，而存储器厂下修资本支出，价格跌势将趋于和缓，第三季DRAM及NAND Flash合约价已见止跌，对南亚科、华邦电、旺宏等存储器厂营运有正面助益。
根据统计，2017及2018年全球半导体产业资本支出创下历史新高，自2013∼2018年，存储器产业资本支出占全球资本支出比重由27％大举跳升至49％，2019年下降至43％，整体来看7年来的年复合成长率（CAGR）高达18.9％。
IC Insights预期今年全球半导体资本支出规模将年减8％至978亿美元，其中，快闪存储器（Flash）产业资本支出年减21％为223亿美元，DRAM产业资本支出年减19％至192亿美元，整体存储器产业资本支出年减约20％至415亿美元。
由存储器市况来看，以NAND为主的Flash产业资本支出在过去两年大幅增加，过去18个月当中，包括英特尔、东芝存储器及威腾（WD）、武汉新芯及长江储存等都加快3D NAND的量产，至于DRAM产业新增产能虽不多，投资主要是进行制程向1x/1y纳米推进，包括三星、SK海力士、美光等三大厂都有不小的DRAM及NAND Flash新增产能开出。
由于DRAM及NAND Flash市场同步出现供过于求，导致价格持续下跌，直到今年第三季才看到止跌，但市场库存水位仍居高不下。IC Insights指出，过去两年全球各大存储器厂的扩产计划都已完成或接近完成，产能增加导致价格下跌，所以今年存储器厂明显缩减资本支出。
至于存储器价格是否续跌，IC Insights认为取决于各厂对资本支出的调整，由于美光及SK海力士等大厂已有减产动作，若减产态度持续应可平缓存储器价格跌价趋势。再者，由短期供需面来看，供给过剩造成的低价已让消费者开始增加搭载容量，或多或少能弥补存储器厂的跌价损失。
