长江存储64层三维闪存产品已量产，国产SSD将迎来新一轮爆发？1月14日消息 根据楚天都市报的报道，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品实现量产。

据介绍，杨道虹表示，当前以及今后一段时间他们目前的任务是如期达成月产能10万片，在二期项目中将会达到30万片／月产能。而且不仅64层三维闪存产品实现量产，更高层的三维闪存产品研发也取得阶段性成果，进一步缩短了与国际龙头企业的差距。

“2019年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的64层三维闪存产品已实现量产。”杨道虹表示，随着国家存储器基地项目一期的实施，区域产业带动成效初显。

杨道虹说，国家存储器基地近年来坚持研究布局新型存储器、特种存储器、物联网芯片（5G芯片）以及智能芯片产品的研发，增强核心竞争力。此外，还联合国内70余家集成电路产业链上下游企业和科研院所，牵头组建半导体三维集成制造创新中心，成立中国半导体三维集成制造产业联盟。

“当前及今后一段时间，我们的核心任务是推动产能爬坡提升。”杨道虹说，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片并按期建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应，带动全省集成电路产业发展。

展望未来，杨道虹还表示，为国家存储器基地落户武汉打下基础的武汉新芯集成电路制造有限公司，将面向需求量巨大的物联网、人工智能与5G市场，研发生产独具特色的物联网芯片产品，建成国内物联网芯片的领导型企业。

为此，杨道虹呼吁，湖北应培养更多芯片人才，增强产业发展后劲。

根据之前的介绍，长江存储科技有限责任公司早在2018年就公开发布其突破性技术——Xtacking，该技术将大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。

根据官方的说明，采用Xtacking技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking 技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

现在，长江存储已成功将Xtacking 技术应用于其第二代3D NAND产品的开发，大规模量产之后，预计会有更多的储存产品用上国产芯片。

杨道虹还透露称，不仅64层三维闪存产品实现量产，更高层的三维闪存产品研发也取得阶段性成果，进一步缩短了与国际龙头企业的差距。

据悉，长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立，公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发；集成电路及相关产品的设计等。

不再是三星独大，由于过去没有自己的内存和SSD固态硬盘，一直被国外技术垄断，肋着脖子过日子很难受，发展我国自主SSD/内存成为必然。

值得一提的是，长江存储试样中的64层闪存芯片已用上自主Xtacking架构，即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，从而将I/O速度提升到3Gbps。目前长江存储最新的技术路线图是，跳过96层闪存，直接在2020年左右上马量产128层堆叠产品。

这样一来，如果产能跟得上，还将对国外品牌在中国市场的销售造成可观的冲击。而且也意味着长江存储就很有希望在代际上追平同时期的传统大厂。

此前三星对外称：“内存芯片市场开始出现恢复迹象 售价上涨不可能避免”！但是随着中国长江存储量产64层3D NAND闪存芯片，此举将把国产颗粒与世界顶级品牌的技术差距缩短到两年左右。SSD的价格迎来一些新变数。

对于国产SSD来说，目前的硬件条件已经基本具备，只欠东风。其下一个目标是128层3D NAND。后者的完成节点也并不遥远，有望于2020年大规模量产。长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义，同样被视为中国打破美日韩垄断关键一战。