2019年智能手机的闪存容量进一步提升，中高端手机基本上是128GB起步，高端会上512GB，个别产品顶配直接上1TB容量了。按照这个趋势下去，明年1TB容量的手机会更多，因为SK海力士现在已经开始出货1TB UFS 3.1闪存给手机厂商，堆栈层数达到了128层。

SK海力士早就在6月份就宣布正式量产128层堆叠的4D NAND闪存，成为全球首家量产128层闪存的厂家，不过海力士的这个4D NAND本质上其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

此外，SK海力士的128层4D闪存还实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术，等等。同时，新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB)，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。

SK海力士官方今天表示1TB容量的UFS 3.1闪存已经出样给手机厂商，预计明年下半年的5G手机就会用上这种大容量+超高速的UFS闪存。从这款产品开始，SK海力士也会把闪存重点转向5G手机，目前中国市场上正在大力推动5G，存储芯片市场有望从中受益，毕竟5G速度更快，下载、保存的数据量也更高，对手机容量要求更高。

现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。

现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。