紫光国芯推出基于格芯12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP

11月5日,西安紫光国芯半导体有限公司(紫光国芯)在GLOBALFOUNDRIES(格芯)举办的中国全球科技会议上正式发布了基于格芯12纳米低功耗工艺(GF 12LP)的GDDR6存储控制器和物理接口IP(GDDR6 MC/PHY IP)。与已有的方案相比,新方案在芯片功耗、面积和成本等方面均有明显的提升,并能满足在面向人工智能(AI)和计算应用等热点领域不断增长的需求。


紫光国芯推出基于格芯12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP_人工智能_机器人


紫光国芯总经理任奇伟博士表示:“人工智能(AI)和网络市场正在迅速增长,因此刺激了对内存带宽需求的增长。借助GF 12LP平台优势,我们的GDDR6 MC/PHY IP将大幅提升性能,并极大地推动GDDR6应用的发展。”


格芯生态系统和设计解决方案副总裁Mark Ireland说:“紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP补充了GF 12LP平台功能,并且可以很好地支持高带宽内存需求的爆炸式增长。我们和紫光国芯一起合作拓宽了我们的IP和服务范围,进一步向我们的客户提供功能强大且更具成本效益的解决方案。”


西安紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存控制器(MC),其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准,并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求,如显卡,游戏机和AI计算等。该IP针对功耗和性能进行了优化设计,西安紫光国芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率,同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。物理接口(PHY)部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。与主流GDDR6存储颗粒集成,经过流片测试验证,该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时,平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。


目前,紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP已经在格芯的12LP工艺平台上架。


关于西安紫光国芯


西安紫光国芯半导体有限公司前身为成立于2004年德国英飞凌西安研发中心的存储事业部,2006年分拆成为独立的奇梦达科技西安有限公司,2009年被浪潮集团收购转制成为国内公司并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年再次被紫光集团收购并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。


目前公司拥有超过500名员工。公司拥有掌握存储器和集成电路核心设计和测试技术的国际化团队。公司核心业务是存储器设计开发,存储器产品量产销售,以及专用集成电路设计开发服务,公司自成立以来,一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累,产品持续量产销售到国内外,积累了良好的存储器/SoC的设计、测试、规模生产及全球销售等研发和产业化经验。


关于格芯


格芯是全球领先的特殊工艺半导体代工厂,提供差异化、功能丰富的解决方案,赋能我们的客户为高增长的市场领域开发创新产品。格芯拥有广泛的工艺平台及特性,并提供独特的融合设计、开发和生产为一体的服务。格芯拥有遍布美洲、亚洲和欧洲的规模生产足迹,以其灵活性与应变力满足全球客户的动态需求。格芯为阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。


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