目前,大部分传导E MI 问题都是由共模噪声引起的。而且,大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生 电容 导致的。以下将着重讨论当寄生电容直接 耦合 到电源输入 电线 时会发生的情况。
1. 只需几fF的杂散电容就会导致 EMI 扫描失败。从本质上讲, 开关电源 具有提供高 dV/dt 的节点。寄生电容与高 dV/dt 的混合会产生 EMI 问题。在寄生电容的另一端连接至电源输入端时,会有少量 电流 直接泵送至电源线。
2. 查看电源中的寄生电容。我们都记得物理课上讲过,两个导体之间的电容与导体表面积成正比,与二者之间的距离成反比。查看 电路 中的每个节点,并特别注意具有高 dV/dt 的节点。想想电路布局中该节点的表面积是多少,节点距离 电路板 输入线路有多远。 开关 MOSFET 的漏极和缓冲电路是常见的罪魁祸首。
3. 减小表面面积有技巧。试着尽量使用表面贴装封装。采用直立式 TO-220 封装的 FET 具有极大的漏极选项卡 (dr ai n tab) 表面面积,可惜的是它通常碰巧是具有最高 dV/dt 的节点。尝试使用表面贴装 DPAK 或 D2PAK FET 取代。在 DPAK 选项卡下面的低层 PCB 上安放一个初级接地面板,就可良好遮蔽 FET 的底部,从而可显著减少寄生电容。
有时候表面面积需要用于散热。如果您必须使用带散热片的 TO-220 类 FET,尝试将散热片连接至初级接地(而不是大地接地)。这样不仅有助于遮蔽 FET,而且还有助于减少杂散电容。
4. 让开关节点与输入连接之间拉开距离。见图 1 中的设计实例,其中我忽视了这个简单原则。
图1:让输入 布线 与具有高 dV/dt 的节点靠得太近会增加传导 EMI。
我通过简单调整电路板(无电路变化),将噪声降低了大约 6dB。见图 2 和图 3 的 测量 结果。在有些情况下,接近高 dV/dt 进行输入线路布线甚至还可击坏共模线圈 (CMC)。
图2:从电路板布局进行 EMI 扫描,其中 AC 输入与开关电路距离较近
图3:从电路板布局进行 EMI 扫描,其中 AC 输入与开关电路之间距离较大
您是否有过在显著加强输入 滤波器 后 EMI 改善效果很小甚至没有改善的这种遭遇?这很有可能是因为有一些来自某个高 dV/dt 节点的杂散电容直接耦合到输入线路,有效绕过了您的 CMC。为了检测这种情况,可临时 短路 PCB 上 CMC 的绕组,并将一个二级 CMC 与电路板的输入电线串联。如果有明显改善,您需要重新布局电路板,并格外注意输入连接的布局与布线。
责任编辑;zl