10月9日，西部数据公司（NASDAQ：WDC）今天推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘（EFD）-西部数据iNAND® MC EU321，旨在加速实现人工智能（AI）、增强现实（AR）、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。

9月份的iPhone XS在创下历史最高售价的同时，存储配置也从去年的256GB封顶一跃跳到了512GB，很快，2018年接下来这最后一两个月里即将要上场的新款手机们，这必定会产生一个风向标的作用：如果你再不跟上把手机的容量配置给提一提，那很快就要被考虑换机的用户给嫌弃了。同时，5G商用又迫在眉睫，且不说那些囊括范围更加广泛的边缘计算、智能家居等设备加入进来，光是我们手中的智能手机就会不可避免地迎来一波置换。

西部数据iNAND MC EU321嵌入式闪存盘

新款西部数据iNAND® MC EU321嵌入式闪存盘采用了西部数据公司的96层3D NAND技术、先进的UFS 2.1接口技术及西部数据公司的iNAND SmartSLC 5.1架构，能够为智能手机、平板电脑和PC笔记本电脑设备提供卓越的数据性能，而且即使设备接近满负荷运行，也能实现出色的移动体验。

西部数据iNAND MC EU321嵌入式闪存盘

西部数据公司产品市场高级总监Oded Sagee表示：“移动设备已成为我们日常互联生活的中心。随着面向5G速度、4K视频、AR和VR的新兴功能不断提升智能手机、平板电脑和笔记本电脑的能力，用户对设备的期望，以及支持这些日益丰富用户体验的技术需求也在水涨船高。我们的3D NAND技术使得用户能够获得更高的内置存储容量，从而支持其整个智能手机生命周期对数据的需求。同时，在传统存储架构下，设备的性能通常会随着容量的消耗而逐渐降低，而西部数据公司的iNAND MC EU321 EFD专门用于高性能运转的维持，使用户能够始终自如地创建、保存和享受他们的数字体验。”

由左至右： 西部数据公司产品市场部副总裁-朱海翔，西部数据公司嵌入式及集成解决方案(EIS) 产品市场总监-包继红以及西部数据公司高级副总裁兼中国区总经理-Steven Craig

随着更多以数据为中心的功能出现在手机和计算设备上，预计移动数据的数量、速度和种类将在未来几年内将有所飙升。

• 具有多个高分辨率相机和AI辅助摄影功能的移动摄影和视频为用户提供了用于创建和共享其数字内容的新功能。

• 5G网络将实现高速的下载和传输速度，从而改变消费者与其设备和内容交互的方式。

• “终端”移动设备上5G支持的AI提供了实时获取、处理和学习数据的能力。

分析机构Counterpoint Research指出，NAND闪存容量将在2017-2021迎来健康的28%复合年增长率。这个增长主要来自成熟的平板用户升级到大屏、高容量、并具有更强大功能和连接性的产品，因为娱乐和移动生产力讲成为主要的应用场景。

这些数据密集型的应用程序都需要更高的容量和速度，以期为消费者提供理想的移动设备体验。2018年自然年上半年，智能手机总出货的内置存储容量相比起2017自然年上半年同比增加了40%，相当于每台手机51GB ，从而增加了对更高容量和更智能存储技术的需求。

    针对数据密集型的高端移动设备进行了优化  

iNAND MC EU321是iNAND系列的新成员，该系列十多年来一直受到全球所有主要智能手机和平板制造商的信赖。iNAND MC EU321 EFD可提供高达550MB/s的连续写入性能，从而实现卓越的用户体验。西部数据公司目前正在就容量高达256GB 的存储解决方案在OEM中开展测试。

iNAND MC EU321的主要特征除采用西数自产的96层3D TLC NAND颗粒之外，它还使用UFS 2.1接口，而且具备西数自主设计的iNAND SmartSLC 5.1缓存架构，容量范围则在32GB到256GB有四个规格可选。听西数在发布会现场的口风，以高通和联发科为代表的安卓生态圈似乎很乐见这款存储产品进入手机市场。

有上一代产品作为参照，iNAND MC EU321的性能指标依旧在可观的数值位置上稳步提升，以256GB规格为例，其顺序读写能力分别达到了800MB/s和550MB/s，随机访问性能也可维持在40K——50K IOPs水准，在同类板载闪存盘产品里基本上可以算一骑绝尘。西部数据对此感到非常自豪，它表示自己产品的顺序写入速度比竞品快出一倍以上。

由此也看得出来，iNAND MC EU321的厉害之处主要还是集中在iNAND SmartSLC 5.1缓存架构上，西数通过在TLC和内存数据操作之间设置一个SLC buffer层，通过SLC的缓冲达到非常高的爆发式访问性能，数据缓存下来之后，通过西数在固件中写好的算法机制，闪存会自动对TLC的数据块进行整理，在减少碎片化的同时把SLC缓存里的数据写入到TLC里。

由于手机应用并无太多需要持续写入数据的场合（那种时候网络传输往往是更大的瓶颈），这种思路对于爆发式访问的响应性能和延迟都有好处，也就是说对手机的整体使用体验会有比较显著的改善。

同时，因为有这样一个SLC缓存架构存在，西部数据的NAND闪存盘更不容易出现那种固态存储比较容易出现的满写性能急剧滑坡。按照他们的说法，友商的闪存往往在写满80%——90%的时候顺序写入性能就会发生断崖式下降，甚至可能会比正常情况下下降超过一半多，而iNAND MC EU321则要到98%写满的时候才会出现大概20%的性能损耗。

随着5G、AI以及4K HDR在移动设备上的应用铺开，存储子系统一些容易被忽略的性能角落也开始被发现和填补起来。手机厂商们更多的对特定的应用场景进行针对性优化（例如微信的使用，以及王者荣耀等手机游戏帧率稳定性），西部数据也在做同样的事情，iNAND MC EU321就是针对手机AI、xR用例的定点止痛剂。

未来西数还会以96层3D NAND作为立足点，继续扩展EU321的衍生类型产品来覆盖汽车/自动驾驶、工业生产，以及智能家居领域的嵌入式闪存产品。不过眼下最重要的，当然还是先把手机这块市场给做好了。