11月18日，智原与联电共同宣布推出采联电22纳米超低功耗（ULP）与22纳米超低漏电（ULL）制程的基础元件IP解决方案。该22ULP/ULL基础元件IP已成功通过硅验证，包含多重电压标准元件库、ECO元件库、IO元件库、PowerSlash低功耗控制套件以及存储器编译器，可大幅降低芯片功耗，满足新一代的SoC设计需求。

智原表示，针对低功耗SoC需求，22ULP/ULL基础元件IP具备进阶绕线架构，以及优化的功率、性能和面积设计。相较28纳米技术，22纳米元件库可以在相同性能下减少10％芯片面积，或降低超过30％功耗。

此外，据了解，该标准元件库可于0.6V至1.0V广域电压下运作，亦支持SoC内的Always-on电路维持超低漏电；多样的IO元件库包括通用IO、多重电压IO、RTC IO、OSC IO和模拟ESD IO；存储器编译器具有双电源轨功能、多重省电模式、和读写辅助功能等特色。

智原研发协理简丞星表示，通过与联电长期合作以及丰富的ASIC经验，为客户提供专业的IP选用服务。借由联电22纳米技术推出全新的逻辑元件库和存储器编译器IP，能够协助客户在成本优势下开发低功耗SoC以布局物联网、人工智慧、通信及多媒体等新兴应用攫取商机。

联电IP研发暨设计支援处林子惠处长也说，许多应用中SoC设计师都需要针对各种应用的节能解决方案。随智原在联电22纳米可量产的特殊制程上推出的基础元件IP解决方案，让客户可在联电具有竞争力的22纳米平台上，获得包括超低漏电和超低功耗设计支持，适用于物联网及其他低功耗产品的完整平台。

据台媒报道，业界传出联电已获得三星LSI的28纳米5G智能手机图像系统处理器（ISP）大单，明年开始进入量产。另外，联电还将为韩国AnaPass代工28纳米OLED面板驱动IC，为韩国Magnachip代工40纳米OLED面板驱动IC及80纳米TDDI，这两家公司是三星OLED面板主要芯片供应商。

今年10月1日，联电将日本三重富士通半导体的12英寸晶圆厂全资收购，这让联电在晶圆代工市场占有率突破了10％，并重回全球第二宝座。在成功打入三星供应链后，将进一步提升未来业绩。

关于今年第四季度，随着在5G智能手机中所使用的射频IC、OLED面板驱动IC、及用于电脑周边和固态硬盘（SSD）的电源管理IC等需求回升，加上增加日本新厂贡献，联电预估第四季度晶圆出货较上季增加10％，平均美元价格与上季持平，产能利用率接近90％。业内人士预估联电第四季度合并营收将季增10％幅度，有望创下季度营收历史新高。

近年来，联电逐渐淡出先进制程的较量，转向发挥在主流逻辑和特殊制程技术方面的优势。不过，联电今年下半年依然存在28nm和40nm产能过剩的压力，好在三星LSI设计专用ISP已在近期完成设计定案，并将在明年第一季度委由联电代工，季度投片量约为2万片。联电明年首季8英寸和12英寸产能利用率有望达到满载水准。

值得一提的是，据集微网所了解到的消息，联电苏州和舰8寸厂和厦门联芯12寸目前产能已经爆满，供不应求。

另外，关于三星为何会下单给联电，三星内部人士告诉集微网记者，主要是因为三星foundry产能不足，所以才会将联电作为第二供应商。

该内部人士补充道：“三星foundry之所以会产能不足，是为了保护公开客户的产能需求和利益，这导致了三星集团的部分需求溢出。”