华为第四代自研芯片Hi1620曝光,全球首款7nm的ARM处理器

日前,AnandTech披露了一组华为第四代ARM服务器自研芯片,Hi1620的主要规格信息,新的Hi1620被宣布为全球首款用于数据中心的7nm处理器,其中Ares内核将为其部署带来高性能。


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至少四年来,Arm一直在努力成为现代服务器、现代数据中心的重要组成部分,并在云计算中扮演真正的重要角色。然而,在同样的四年中,Arm一直在努力打造更高性能的内核,以便在单线程工作负载中可以与x86竞争。该核心是将于2019年发布的Ares,尽管Arm尚未正式披露具体技术细节,但华为已经宣布其中心拥有带有Ares核心的硬件。


Hi1620服务于华为代号“Taishan泰山”的高性能平台,芯片基于ARM v8.2架构,单路可配置24——64核,每核心配置512KB二级缓存和1MB三缓,频率范围在2.4——3.0GHz。这些内核中的每一个都具有64KB L1数据高速缓存和64 KB L1指令高速缓存,每个内核具有512KB的专用L2高速缓存。L3将以1MB /核心的共享缓存运行,最高可达64MB。在消费者Skylake核心的范围内,这意味着每个核心更多的L2缓存,但L3更少。但是,没有关于相关性的话。其中一个关键问题在于性能:许多供应商都希望拥有具有Skylake级别原始性能的Arm核心。


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这套CPU核心代号Ares,外媒称是ARM用于服务器的公版,但有国内媒体透露其实是华为基于ARM v8.2自研,尚待确认。


据了解,Hi1620的定位是全球首款7nm工艺的数据中心用ARM处理器。将应用于“Taishan泰山”高性能平台,芯片基于ARM v8.2架构,单路可配置24 — 64核,每核心配置512KB二级缓存和1MB三缓,频率为2.4——3.0GHz。存储和I/O方面,支持8通道DDR4-3200内存,支持40条PCIe 4.0通道,小于Hi1616上的46个通道。Hi1620还将支持CCIX,以及双100GbE MAC,一些USB 3.0和一些SAS连接。可能是晶体管数量增加了很多,即便是7nm工艺加持,Hi1620芯片BGA封装的尺寸达到了60x75 mm,比上一代16nm的Hi1616的57.5x57.5 mm还大。功耗范围100——200W,应该是24核对应100W,64核对应200W。


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