本设计实例实现了一种远程     传感器   前置     放大器   （如用于压电式传感器），其可通过单个导线对或同轴     电缆   传输信号和电能。

AD822ARZ是一个真正的单电源供电     运算放大器   ，其具有轨到轨输出、极低的输入     电流   和低频噪声，适合与高     阻抗   信号源同时工作。AD822具有5V的单电源供电能力，这使其成为本设计实例的佳选。

R6为压电传感器提供匹配负载。R5和D1保护IC1-1免受可能来自压电传感器的高电压尖峰的影响。IC1-1提供初级增益（在工作频率范围内约为1+R7/R8）和部分增益频率特性。R8和C6抑制次声波频率（截止频率为1/2πR8C6），并使传感器的频率响应线性化。R7和C5的结合可抑制超出工作频率范围的频率（截止频率为1/2πR7C5）。R10-C9和R13-C11为附加的低通     滤波器   。设置于IC1-2周围、可抑制次声波频率的二阶滤波器是主要的     高通   滤波器。前置放大器的输出端为Q2的     开路   集电极。Q2的负载（Rg:1.5kΩ）放置在接收器处。

前置放大器的电源涉及下述因素：分压器R2、R9和C7通过R6和R11为IC1两部分提供数值为电源电压一半（R2=R9）的偏移电压。假设电源电压为5V，则AD822的静态电流Iq的最大值为1.6mA。研究表明，输出     晶体管   的集电极电流Ic（无信号）应为Iq的若干倍。R14用于设置Iq，计算方法如下：R14EB）/Iq=（5V/2-0.68V）/1.6mA=1.14kΩ（0.68V是此类     晶体   管在放大模式下的发射极基极电压VEB的典型值）。将R14的值设为560Ω，则输出晶体管的集电极电流Ic的值为（Vs/2-VEB）/R14。在BC847C的hFE不低于420的情况下，Q2的基极电流小到可以忽略。因此，Ic=（5V/2-0.68V）/560Ω=3.25mA。通过集电极负载的最大电流（无信号）为：Imax=Ic+Iq=3.25mA+1.6mA=4.85mA。

研究表明，由于高噪声会被反映至负载     电阻   ，因此一般的稳压器IC此时不适用。仿真过程没有显示这一现象。简单的Q1     电路   成为最佳解决方案。Q1发射极处的输出电压Vs为：

Vs=（Vext-Rg×Imax）×R3/（R3+R4）-VEB

（Vext是外部直流电压（15V），VEB=0.68V。）

Vs=（15V-1.5kΩ×4.85mA）×68kΩ/（20kΩ+68kΩ）-0.68V=5.3V

这一数值是一个近似值。事实上，Vs值要更小一些，因为上述等式未将Q1的基极和分压器电流考虑在内。建议将R3-R4分压器电流的最小值设置为Q1基极电流的10倍以上。Q1集电极的交流分量被C4滤除。应根据前置放大器的最低工作频率选择C4的值。转折频率1/2πR3C4应至少低于前置放大器通频带低端的10倍。

R1-C3网络是可选配置；在使用R1-C3网络的情况下，若需要一个更宽的高频通带，应将C3的值设置得更低。C9也是可选配置，其影响的是高频范围。若需要使用C9，则可以将去耦     电容   C1的值降低至10μF。图中所示的前置放大器提供了26dB的增益（Rg=1.5kΩ），其通频带的频率约为8Hz～36Hz。交流输出电压的最大值约为5Vp-p（在静态工作点约为7.8VDC的情况下为±2.4V）。实际器件的电流消耗为4.8mA。迄今为止，该解决方案已在28个器件上可靠、持续地运行，线长达150m。

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