3月21日消息 在英伟达的GTC 2019大会上，三星发布了新的Flashbolt高带宽内存（HBM），据称是业界首款符合HBM2E规范的内存产品。该公司新的Flashbolt存储器堆栈将性能提高了33%，并提供每个芯片双倍容量以及每个封装的双倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，这是一个合适的场合，因为NVIDIA因其广受欢迎的GV100处理器而成为HBM2内存最大的用户之一。
从2015年AMD的Fury X快开始，HBM显存逐渐出现在消费级市场上;随着AMD在2017年发布VEGA 56和VEGA 64，宣告HBM显存进入 第二代。NVIDIA在2018年带来搭载HBM2显存的Volta架构。
三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器芯片，这些芯片使用TSV（通过硅通孔）以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线，每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。新一代产品将每个针脚的带宽提高33％——从2.4Gbps提高到3.2Gbps；此外，每个芯片的容量也翻了一倍，达到16Gb。据此，1024位总线的Flashbolt封装，可以在8-Hi堆栈配置中提供高达410GB/s的带宽和16GB的容量。
三星将其Flashbolt KGSD定位瞄准下一代数据中心，HPC，AI/ML和图形应用程序。通过使用具有4096位存储器接口的处理器的四个Flashbolt堆栈，开发人员可以获得具有1.64TB/s峰值带宽的64GB内存，这对于容量和带宽需求大的芯片来说将是一个很大的优势。使用两个KGSD，它们可获得32GB的DRAM，峰值带宽为820GB/s。三星表示自己尚未开始批量生产Flashbolt HBM2E内存，但是已完成该技术的开发。
根据三星官方的公布数据，新Flashbolt存储器堆栈将提高33%性能，并为每个芯片提供双倍容量以及每个封装的双倍容量。
三星Flashbolt KGSD在拥有4096位宽的存储器接口上，通过四个Flashbolt堆栈的方式，让开发人员获得64GB显存、最高1.64TB/s峰值带宽，大容量和高带宽是这款芯片的优势，也能更好的处理各种实用需求。如果使用两个Flashbolt KGSD的话，最高可获得32GB显存、峰值带宽为820GB/s。
三星的目标是将这些产品用在下一代数据中心、AI/ML（人工智能/机器学习）和图形应用程序上。目前三星尚未宣布HBM2E产品量产计划，但是Flashbolt未来有望进入下一代7nm GPU。
