5G来临，中高频无疑成为商用主角。那么，目前中高频产业发展情况怎么样？未来将如何发展？汇芯（中国）产业技术发展论坛在深圳召开，多位专家在演讲中表示，中高频器件已经形成寡头垄断趋势。8月7日，汇芯（中国）产业技术发展论坛在深圳召开，来自政府、科研院所、运营商、企业的专家汇聚一堂，共同探讨中国5G中高频器件发展路径。多位专家在演讲中表示，中高频器件已经形成寡头垄断趋势，而美国、日本等企业长期占据优势地位。但目前，国内中高频器件产业链具备一定基础，需要尽早形成产业合力，进行技术成果转化，形成产业优势。
突破寡头垄断
5G的诸多特性，无疑将给中高频产业带来无限商机。
韦乐平在大会演讲中表示，5G时代，中高频器件和射频前端的出货量将增加、售价将提升2——3倍、市场规模将扩大。
工信部通信科技委常务副主任韦乐平在大会演讲中表示，5G比4G频率高至少1倍、频带宽5倍、功率高5倍、速率高10倍、天线成倍增多等特性，将对5G终端的PA、滤波器、天线、开关和调谐器等产生重大影响。因此，5G时代，中高频器件和射频前端的出货量将增加、售价将提升2——3倍、市场规模将扩大。
同时，中国电子信息产业发展研究院集成电路所副所长朱邵歆也表示，5G通信将拉动中高频器件需求，根据赛迪数据，预计2019年-2026年间，国内新建5G宏站数量将达475万座，微基站数量将达950万站，同时5G载波聚合将更为复杂，将从4G的双载波聚合提升至5载波聚合，这导致滤波器、开关、PA、LNA需求量和复杂度将同比例增长。
目前，中高频领域已经形成寡头垄断的局面，而美国、日本等企业长期占据主导地位。
深圳市汇芯通信技术有限公司副总经理徐明伟表示，目前中高频器件产业产品高度垄断。诸如，器件方面，美国、日本企业占据SWA滤波器、BWA滤波器、PA器件的大部分市场；半导体材料方面，砷化镓的产能也高度垄断，2018年全球砷化镓元件市场（含IDM厂组件产值）总产值约为88.7亿美元，前四大厂商占比达到73.4%，分别为Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、稳懋半导体（6%）。
与此同时，在基站中高频芯片的细分市场，也由于国外企业长年累月形成的软硬件积累，形成垄断优势。
首先，软件方面，从特色工艺、生产制造到产品设计的垂直整合技术积累，尤其是经年累月的技术的积累为此类企业提高技术门槛，保障从工艺——制造——设计的多重产品技术优势。
其次，硬件方面，加载特色工艺的约数亿至十亿美元的专有制造工厂（FAB）资产积累，为多重技术优势提供支持，而且基本完成设备折旧，让企业没有资产回报率包袱。
“目前，全国做中高频器件的企业比较多，但是中高频器件的发展，不应该遍地开花，而是要聚集实力，共同为产业发展做贡献。”中国科学院院士刘明在致辞中表示。
进击5G中高频
为产业链合作提供平台，聚集产业实力。今年4月，广东省5G中高频器件创新中心（以下简称5G创新中心）成立，其依托实体“深圳市汇芯通信技术有限公司”，由福田投控、南方科技大学、力合科创集团，以及20多家产业链龙头企业和上市公司共同出资组建。
在大会现场，徐明伟发布5G创新中心战略，提出5G创新中心未来将重点致力于公共平台建设和前沿共性技术研发。
具体来说，首先，公共服务平台建设方面，5G创新中心将搭建从器件/材料研发-测试-封装-中试的一体化公共服务平台，为领域内企业提供全流程公共技术服务；其次，前沿和共性技术研发方面，汇芯通信已与合作伙伴开展了多个项目的产业协同与合作研发。在细分市场上加大投入，形成局部的压倒性资源的优势，解决产业链长期积累的问题。
工业和信息化部电子司调研员吴国纲在致辞中强调，5G创新中心要明确自己的定位，探索如何跟国内的合作伙伴进行融合。一定要坚持三心：要有信心、决心、恒心，同时还要有大局意识和合作意识，只有全行业共同努力，我们才能实现整体规划的目标。
中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）副院长黄子河在致辞中表示，5G创新中心最主要的使命是产业链的协同以及对产业力量的整合。此外，中国工程院院士陈良惠，中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）第二届学术委员会副主任、浙江省智能制造专家委员会主任、原浙江省人大常委会党组副书记毛光烈，中国科学院院士刘明也都发表了精彩演讲。
同时，中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）副院长黄子河在致辞中表示，作为5G创新中心，一定要关注两点：一是要把国内相关的力量整合和聚合起来，立足于深圳，同时要面向全国，走向世界；二是5G创新中心最主要的使命是产业链的协同以及对产业力量的整合。如果能很好的做到这两点，在中高频未来的竞争上，一定能使我们国家在全球占领重要的一席之地。
促进产业化
要想真正实现在5G中高频竞争中，占有一席之地，还面临诸多挑战。
徐明伟表示，目前，国内产业链具备一定基础，基站方面，滤波器和天线具有国产化供应链基本能力，功率放大器供应链还需努力，终端方面，功率放大器和滤波器潜力很大，尤其中高端产品需要高集成度产品。
在Sub-6G频段，国内产业链面临行业供给能力、产品投产量、良品率等挑战；而毫米波频段，面临设计团队分散、缺少有竞争力规模企业、制造能力稀缺、民用基础相对薄弱。
对此，5G中高频器件创新中心明确三大主要研发方向，即面向新型半导体材料及工艺共性关键技术产业化；基站中高频功率放大器、滤波器、阵列天线等核心器件产业化关键技术；5G的基站、终端、硅基毫米波集成芯片设计关键技术。
同时，5G创新中心还希望能够真正将技术研发成果转化为成熟产品，突破“死亡之谷”。
据悉，由于细分芯片领域市场验证和产品验证的挑战，从中试成果到首次量产的阶段被称细分芯片领域的“死亡之谷”。
徐明伟表示，5G中高频器件创新中心的目标就是，在10年内成为国际领先的，以氮化物半导体为基础的，中高频器件量产技术研发平台。
刘明表示，想要发展中高频器件产业，必须先把产业链梳理清楚，产业要独立才能良性发展，如何在长长的产业链里做出自己的盈利模式，这一点非常重要。同时，中高频器件要注重模块的功能，大的融合一定会把射频等很多功能融合起来，从技术的角度一定要早关注集成的方向。
因此，5G中高频器件创新中心希望在一个大平台的基础上，进行生态建设，进行IPD滤波器、SAW/BAW滤波器、陶瓷滤波器等N个产品技术项目。近期规划是面向Sub-6G频段，进行量产设施、联合开发和战略合作；中长期规划是面向毫米波，以自主设施为主，主导多边战略合作，形成领先的路线和能力。
同时，在会议现场，中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）和汇芯通信“5G中高频器件白皮书”启动联合编撰仪式。朱邵歆表示，《5G中高频器件白皮书》预计将在2019年底发布，白皮书在整体上从5G器件产业着手，在全球市场和世界趋势的维度中去研究，推论提出产业面临的问题和挑战，通过这些研究和分析提出我们要解析产业的发展趋势，促进技术的创新，促进产业的成长，促进产业的协同。
