铠侠出样UFS3.1闪存:写速提升200%

      据了解,近日,iQOO 3 5G使用上UFS 3.1闪存,从调试信息来看,芯片颗粒来自三星。

      事实上,上周西部数据也推出了符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存,品名iNAND MC EU521 ,引入第六代SmartSLC缓存技术,写速最高可达800MB/s,且号称容量满载时也不掉速。

      本周,铠侠(KIOXIA,原东芝存储)宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片。

      新闪存基于东芝BiCS 3D存储技术打造,设计容量包括128GB、256GB、512GB和1TB,比西数EU521丰富,主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内。

      关于性能,铠侠未给出具体数据,但表示写速是UFS 3.0的2~3倍,连续读速比UFS 3.0提升30%,引入HPB改善随机读取性能,睡眠模式下功耗更低,温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。

      铠侠指出,东芝是最早在2013年推出UFS的厂商,去年也是第一波提供UFS 3.0产品的企业。

铠侠出样UFS3.1闪存:写速提升200%_设计服务_产品设计
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