除企业级、工业级等少数特殊产品，SLC闪存已慢慢成回忆，MLC闪存快绝迹，就剩TLC、QLC，不过东芝正在把SLC带回来!

      一年前的FMS 2018闪存峰会上，东芝宣布了全新的“XL-Flash”，可以理解为一种采用3D立体封装、延迟超低的SLC闪存，但没有透露更多细节。

      如今，FMS 2019开幕在即，东芝正式发布了XL-Flash，并透露了不少细节，还会在峰会上公布更多架构和技术特点。

      据介绍，XL-Flash闪存介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，拥有更高的速度、更低的延迟、更大的容量，而且成本相对较低，初期将用于SSD固态硬盘，未来也可用于NVDIMM内存条等传统DRAM领域产品。

      XL-Flash闪存每个Die裸片的容量为128Gb(16GB)，支持2个、4个、8个Die封装，因此单颗容量可以做成32GB、64GB、128GB。

      这样的容量确实不大，但分成了多达16层，并行程度要比现在追求容量的3D NAND闪存高得多，同时页面尺寸仅为4KB，远小于3D NAND，读写效率更高，毕竟属于SLC，每个单元只存储一个比特。擦除区块尺寸未披露，但相信也会比高容量3D NAND小得多。

      至于性能，东芝称XL-Flash的延迟不会超过5微秒，相比现在3D TLC闪存的50微秒左右提升了足有10倍。

      看起来，东芝XL-Flash有点对标三星Z-NAND的意味，不过后者仅用于三星自家的Z-SSD，而东芝XL-Flash会向行业开放，事实上已经有多家SSD主控厂商开始准备在下一代产品中支持了。

      东芝XL-Flash闪存将在下个月试产出样，明年投入大规模量产。